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반도체 소자 및 반도체 결정 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015053501
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 반도체 소자는, 패턴 홈을 포함하는 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판에 형성되는 에피층을 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01)
출원번호/일자 1020110010962 (2011.02.08)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1189376-0000 (2012.10.02)
공개번호/일자 10-2012-0090498 (2012.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121009) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.08)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김무성 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0088451-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006891-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0077993-37
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0282563-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0372145-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0372144-42
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0536238-84
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
13 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-0769371-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패턴 홈을 포함하는 베이스 기판; 및상기 베이스 기판에 형성되는 에피층을 포함하고,상기 패턴 홈은 1 내지 10 nm 폭으로 형성되고,상기 베이스 기판 및 상기 에피층은 탄화규소를 포함하는 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 패턴 홈은 5 내지 10 nm 깊이로 형성되는 반도체 소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 에피층은 상기 베이스 기판에 직접 형성되는 반도체 소자
5 5
삭제
6 6
탄화규소 기판을 세정하는 단계;상기 탄화규소 기판에 자가 형성(self-assembled)에 의하여 돌기를 형성하는 단계;상기 탄화규소 기판에 패턴 홈을 형성하는 단계; 및상기 탄화규소 기판에 에피층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 결정 성장 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 탄화규소 기판을 세정하는 단계 및 상기 돌기를 형성하는 단계는 탄소수가 1 내지 6인 탄화 수소 기체로 이루어진 군에서 선택되는 기체를 적어도 하나 포함하는 분위기에서 이루어지는 반도체 결정 성장 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 돌기를 형성하는 단계는 챔버 내에서 30 % 이상의 습도에서 이루어지는 반도체 결정 성장 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 돌기를 형성하는 단계는 10분 내지 15분의 시간을 유지하는 반도체 결정 성장 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 돌기를 형성하는 단계는 100 내지 300 ℃ 의 온도에서 이루어지는 반도체 결정 성장 방법
11 11
제6항에 있어서,상기 패턴 홈을 형성하는 단계는 식각하는 단계를 포함하는 반도체 결정 성장 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 패턴 홈을 형성하는 단계는 수소, 염소, 실레인(silane), 염화 수소, 탄소수가 1 내지 6인 탄화 수소 기체로 이루어진 군에서 선택되는 기체를 적어도 하나 포함하는 분위기에서 이루어지는 반도체 결정 성장 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 패턴 홈을 형성하는 단계는 1200 내지 1500 ℃ 의 온도에서 이루어지는 반도체 결정 성장 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 패턴 홈을 형성하는 단계는 5 내지 15 분 시간을 유지하는 반도체 결정 성장 방법
15 15
제6항에 있어서,상기 에피층을 형성하는 단계는 수소, 염화 수소, 실레인, 탄소수가 1 내지 6인 탄화 수소, 메틸 트리 클로로 실레인(methyl trichlorosilane, MTS), 트리 클로로 실레인(trichlorosilane, TCS) 및 헥사 메틸디 실레인(hexamethyldisilane, HMDS) 기체로 이루어진 군에서 선택되는 기체를 적어도 하나 포함하는 분위기에서 이루어지는 반도체 결정 성장 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 에피층을 형성하는 단계는 1500 내지 1700 ℃ 온도에서 이루어지는 반도체 결정 성장 방법
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1 CN103443902 CN 중국 FAMILY
2 EP02668662 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02668662 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP06054884 JP 일본 FAMILY
5 JP26506727 JP 일본 FAMILY
6 KR101125327 KR 대한민국 FAMILY
7 US09269776 US 미국 FAMILY
8 US20140054610 US 미국 FAMILY
9 WO2012102539 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
10 WO2012102539 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103443902 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103443902 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2014506727 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP6054884 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 LG이노텍(주) 부품소재산업경쟁력향상 에너지반도체 소자용 SiC 에피소재 개발