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태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015053515
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요약 본 발명의 실시예에 따르면, 후면 접촉형 태양전지 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 태양전지는 제1 도전형을 가지는 결정형 반도체 기판; 상기 기판의 후면상에 개구부를 가지고 제2 도전형을 가지는 불순물을 도핑하여 형성한 에미터 영역; 상기 기판의 후면상의 상기 개구부를 포함하여 형성되고 상기 기판과 동일한 도전형의 비정질 반도체층으로 이루어진 후면 전계 영역; 상기 에미터영역에 연결된 제1 전극 및 상기 후면전계영역에 형성된 제2 전극을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 태양전지에서는 에미터 영역의 면적을 충분히 확보할 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01) H01L 31/0682(2013.01)
출원번호/일자 1020110007925 (2011.01.26)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0086593 (2012.08.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.01)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신명준 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 조해종 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 최민호 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 곽계영 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0064904-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0846699-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0349326-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0684331-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0684330-61
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0850350-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0090824-27
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0090823-82
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0307358-22
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형을 가지는 결정형 반도체 기판; 상기 기판의 후면상에 개구부를 가지고 제2 도전형을 가지는 불순물을 도핑하여 형성한 에미터 영역; 상기 기판의 후면상의 상기 개구부를 포함하여 형성되고 상기 기판과 동일한 도전형의 비정질 반도체층으로 이루어진 후면 전계 영역;상기 에미터영역에 연결된 제1 전극; 및상기 후면전계영역에 형성된 제2 전극을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 후면 전계 영역은 상기 에미터 영역 상에서 상기 에미터 영역과 일부분이 오버랩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 후면 전계 영역과 상기 제2 전극 사이에 투명전극층을 더 포함하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 후면 전계 영역과 상기 기판 사이에 패시베이션층을 더 포함하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 개구부의 면적은 상기 기판의 전체 면적 중에서 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 패시베이션 영역은 진성 비정질 실리콘 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 후면 전계 영역은 비정질 실리콘 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제1항에 있어서,상기 기판의 타면에 전면 전계 영역을 더 포함하는 태양전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 기판의 타면에 반사방지막을 더 포함하는 태양전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 기판의 전면과 타면 중 하나 이상은 텍스처링된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
11 11
제1항에 있어서, 상기 후면 전계 영역은 상기 기판과 반대의 도전성의 제2 도전형을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
12 12
제1항에 있어서, 상기 개구부 및 상기 에미터 영역은 상호 교번하는 스트라이프 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
13 13
제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상호 교번하는 스트라이프 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
14 14
제1 도전형을 가지는 결정형 반도체 기판의 후면상에 개구부를 가지고 제2 도전형을 가지는 불순물을 도핑하여 에미터 영역을 형성하는 단계; 상기 기판의 후면상의 상기 개구부를 포함하여 형성되고 상기 기판과 동일한 도전형의 비정질 반도체층으로 이루어진 후면 전계 영역을 형성하는 단계;상기 에미터영역에 연결된 제1전극을 형성하는 단계; 및상기 후면 전계 영역 상에 형성된 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 후면 전계 영역은 상기 에미터 영역 상에서 상기 에미터 영역과 일부분이 오버랩되도록 배치하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 후면 전계 영역과 상기 제2 전극 사이에 투명전극층을 더 형성하는 태양전지 제조방법
17 17
제14항에 있어서, 상기 후면 전계 영역과 상기 기판 사이에 패시베이션층을 더 형성하는 태양전지 제조방법
18 18
제14항에 있어서, 상기 개구부의 면적은 상기 기판의 전체 면적 중에서 0
19 19
제14항에 있어서, 상기 패시베이션 영역을 진성 비정질 실리콘 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
20 20
제14항에 있어서, 상기 후면 전계 영역을 비정질 실리콘 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
21 21
제14항에 있어서,상기 기판의 타면에 전면 전계 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
22 22
제14항에 있어서, 상기 기판의 타면에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
23 23
제14항에 있어서, 상기 기판의 전면과 타면 중 하나 이상은 텍스처링된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
24 24
제14항에 있어서, 상기 후면 전계 영역은 상기 기판과 반대의 도전성의 제2 도전형을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
25 25
제14항에 있어서, 상기 개구부 및 상기 에미터 영역을 상호 교번하는 스트라이프 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
26 26
제14항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 상호 교번하는 스트라이프 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.