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태양광 발전장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015053516
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 윈도우층; 및 상기 이면전극층 아래에 접착층;을 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110008481 (2011.01.27)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1241708-0000 (2013.03.04)
공개번호/일자 10-2012-0087042 (2012.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20130311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고정환 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0069196-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0097805-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0103944-66
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0307842-90
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0307840-09
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0575024-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0970628-09
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0970627-53
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0777757-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이면전극층;상기 이면전극층 상에 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 버퍼층;상기 버퍼층 상에 윈도우층; 상기 이면전극층 아래에 접착층;상기 접착층 아래에 기판; 및,상기 이면전극층과 접착층 사이에 금속결정;을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 접착층은 에폭시와 같은 고분자 물질 또는 세라믹 계열의 본드를 포함하는 태양전지
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 금속결정은 Cu, Ag, Au 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지
7 7
성장기판 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 상부전극층을 형성하는 단계;상기 상부전극층 상면에 EVA 시트를 형성하는 단계;상기 희생층을 전기분해하여 상기 후면전극층의 하면이 노출되도록 상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 희생층은 Cu, Ag, Au 중 적어도 하나를 포함하여 형성하고, 상기 희생층을 전기분해하는 수용액은 상기 희생층과 동일한 물질을 포함하는 태양전지 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 후면전극층의 하면에 접착층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 후면전극층의 하면과 EVA 시트 사이에 플렉서블한 기판을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
10 10
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103339741 CN 중국 FAMILY
2 EP02668668 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 WO2012102476 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012102476 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103339741 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103339741 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2668668 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 WO2012102476 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2012102476 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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