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1
기판;상기 기판 위에 형성되어 있는 투명 전극층;상기 투명 전극층 위에 형성되어 있는 제1 p형 반도체층;상기 제1 p형 반도체층 위에 형성되는 제1 진성 반도체층;상기 제1 진성 반도체층 위에 형성되어 있는 제1 P-N 도핑층;상기 제1 P-N 도핑층 위에 형성되어 있는 제2 진성 반도체층; 상기 제2 진성 반도체층 위에 형성되어 있는 후면 전극을 포함하되,여기서, 상기 제1 P-N 도핑층은 상기 제1 진성 반도체층 상에 제1 n형 반도체층과 제2 p형 반도체층이 차례로 적층되어 결합된 반도체층이며, 상기 제1 n형 반도체층과 상기 제1 p형 반도체층 중 하나 이상은 SiOx, SiNy, SiOxNy 중 어느 하나의 물질을 포함하고, 상기 x는 0
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2
제1항에 있어서,상기 투명 전극층과 상기 제1 p형 반도체층 사이에 제3 p형 반도체층, 제3 진성 반도체층, 제3 n형 반도체층을 더 포함하는 태양전지
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3
제1항에 있어서,상기 제2 진성 반도체층과 상기 후면 전극 사이에 제2 n형 반도체층, 제3 p형 반도체층, 제3진성 반도체층, 제3 n형 반도체층을 더 포함하는 태양전지
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4
제3항에 있어서,상기 제2 n형 반도체층과 상기 제3 p형 반도체층은 제2 P-N 도핑층을 형성하며, 상기 제2 n형 반도체층과 상기 제3 p형 반도체층 중 하나 이상은 SiOx, SiNx, SiOxNy 중 어느 하나의 물질을 포함하고, 상기 x는 1
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5
제1항에 있어서, 상기 제1 P-N 도핑층은 상기 제2 P-N 도핑층에 비하여 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 태양전지
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6
제5항에 있어서, 상기 제1 P-N 도핑층의 두께는 30nm 이하, 상기 제2 P-N 도핑층의 두께는 30nm 이상 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지
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7
제1항에 있어서, 상기 제2 P-N 도핑층은 상기 제1 P-N 도핑층에 비하여 산소 함량이 더 높은 것을 특징으로 하는 태양전지
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8
제1항에 있어서, 상기 제2 P-N 도핑층은 상기 제1 P-N 도핑층에 비하여 굴절률이 작은 것을 특징으로 하는 태양전지
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9
제8항에 있어서, 상기 제1 P-N 도핑층의 굴절률 범위는 1
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10
제1항에 있어서, 상기 제1 P-N 도핑층은 상기 기판과 상기 투명 전극층 및 상기 제1 진성 반도체층을 투과하여 수광된 빛을 상기 제1 진성 반도체층으로 반사시키는 것을 특징으로 하는 태양전지
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11
제4항에 있어서, 상기 제2 P-N 도핑층은 상기 상기 기판과 상기 투명 전극층, 상기 제1 진성 반도체층, 상기 제1 P-N 도핑층 및 상기 제2 진성 반도체층을 투과하여 수광된 빛을 상기 제2 진성 반도체층으로 반사시키는 것을 특징으로 하는 태양전지
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12
제4항에 있어서,상기 제1 진성 반도체층의 굴절률은 상기 제1 P-N 도핑층의 굴절률보다 크고, 상기 제2 진성 반도체층의 굴절률은 상기 제2 P-N 도핑층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 태양 전지
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13
제12항에 있어서,상기 제1 진성 반도체층의 굴절률과 상기 제1 P-N 도핑층의 굴절률의 차이는 2 이상인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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14
제12항에 있어서, 상기 제2 진성 반도체층의 굴절률과 상기 제2 P-N 도핑층의 굴절률의 차이는 2 이상인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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15
제1항에 있어서,상기 제2 진성 반도체층과 상기 후면 전극 사이에 제2 n형 반도체층 및 후면 반사층을 더 포함하는 태양전지
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16
기판 상에 투명 전극층을 증착하는 단계;상기 투명 전극층 위에 p형으로 도핑된 제1 p형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 p형 반도체층 위에 제1 진성 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 진성 반도체층 제1 n형 반도체층과 제2 p형 반도체층을 증착하여 제1 P-N 도핑층을 형성하는 단계;상기 제1 P-N 도핑층 위에 제2 진성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 진성 반도체층 위에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하되,여기서, 상기 제1 P-N 도핑층은 제1 n형 반도체층과 제2 p형 반도체층이 차례로 적층되어 결합된 반도체층이며, 상기 제1 n형 반도체층과 상기 제1 p형 반도체층 중 하나 이상은 SiOx, SiNx, SiOxNy 중 어느 하나의 물질을 포함하고, 상기 x는 0
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17
제16항에 있어서,상기 제1 p형 반도체층을 형성하기 전에, 상기 투명 전극층 상에 제3 p형 반도체층, 제3 진성 반도체층, 제3 n형 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
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18
제16항에 있어서,상기 후면 전극을 형성하기 전에, 상기 제2 진성 반도체층 상에 제2 n형 반도체층, 제3 p형 반도체층, 제3 진성 반도체층, 제3 n형 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
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19
제18항에 있어서,상기 제2 n형 반도체층과 상기 제3 p형 반도체층을 차례로 적층하여 제2 P-N 도핑층을 형성하며, 상기 제2 n형 반도체층과 상기 제3 p형 반도체층 중 하나 이상은 SiOx, SiNy, SiOxNy 중 어느 하나의 물질을 포함하고, 상기 x는 1
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20
제16항에 있어서, 상기 제1 P-N 도핑층은 상기 제2 P-N 도핑층에 비하여 얇은 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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21
제20항에 있어서, 상기 제1 P-N 도핑층은 30nm 이하의 두께로, 상기 제2 P-N 도핑층은 30nm 이상 100nm 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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22
제16항에 있어서, 상기 제2 P-N 도핑층은 상기 제1 P-N 도핑층에 비하여 산소 함량이 더 높은 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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23
제16항에 있어서, 상기 제2 P-N 도핑층은 상기 제1 P-N 도핑층에 비하여 굴절률이 작은 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제23항에 있어서, 상기 제1 P-N 도핑층의 굴절률 범위는 1
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제16항에 있어서, 상기 제1 P-N 도핑층은 상기 기판과 상기 투명 전극층 및 상기 제1 진성 반도체층을 투과하여 수광된 빛을 상기 제1 진성 반도체층으로 반사시키는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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26
제19항에 있어서, 상기 제2 P-N 도핑층은 상기 상기 기판과 상기 투명 전극층, 상기 제1 진성 반도체층, 상기 제1 P-N 도핑층 및 상기 제2 진성 반도체층을 투과하여 수광된 빛을 상기 제2 진성 반도체층으로 반사시키는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법 제조방법
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27
제19항에 있어서,상기 제1 진성 반도체층의 굴절률은 상기 제1 P-N 도핑층의 굴절률보다 크고, 상기 제2 진성 반도체층의 굴절률은 상기 제2 P-N 도핑층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
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28
제27항에 있어서,상기 제1 진성 반도체층의 굴절률과 상기 제1 P-N 도핑층의 굴절률의 차이는 2 이상인 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
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29
제27항에 있어서, 상기 제2 진성 반도체층의 굴절률과 상기 제2 P-N 도핑층의 굴절률의 차이는 2 이상인 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
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30
제16항에 있어서,상기 후면 전극을 형성하기 전에, 상기 제2 진성 반도체층 상에 제2 n형 반도체층 및 후면 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
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