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박막 태양 전지

기술번호 : KST2015053534
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 박막 태양 전지에 관한 것이다.본 발명에 따른 박막 태양 전지의 일례는 기판; 기판에 배치되는 전면 전극; 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극; 전면 전극과 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 입사받아 전기로 변환하는 광전 변환부; 및 광전 변환부 및 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 반사하는 도전성의 후면 반사층;을 포함하며, 후면 반사층의 두께는 200nm 이상 800nm 이하이고, 후면 반사층의 굴절률은 1.8 이상 2.0 이하이며, 후면 반사층은 알루미늄 아연 산화물(ZnOx:Al), 붕소 아연 산화물(ZnOx:B), 및 미세 결정 실리콘 산화물(mc-SiOx:H) 중 적어도 하나의 물질을 포함한다.
Int. CL	H01L 31/054 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC	H01L 31/054(2013.01) H01L 31/054(2013.01) H01L 31/054(2013.01) H01L 31/054(2013.01) H01L 31/054(2013.01) H01L 31/054(2013.01) H01L 31/054(2013.01)
출원번호/일자	1020110015437 (2011.02.22)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1632451-0000 (2016.06.15)
공개번호/일자	10-2012-0096177 (2012.08.30) 문서열기
공고번호/일자	(20160621) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.08.27)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	심현자	대한민국	서울특별시 서초구
2	김수현	대한민국	서울특별시 서초구
3	안세원	대한민국	서울특별시 서초구
4	이홍철	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인로얄	대한민국	서울특별시 서초구 반포대로 **, 층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.02.22	수리 (Accepted)	1-1-2011-0125926-78
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2015.08.27	수리 (Accepted)	1-1-2015-0832873-89
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.01.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2016.02.05	수리 (Accepted)	9-1-2016-0007546-23
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.02.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0137769-51
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.03.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0253187-30
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.03.16	수리 (Accepted)	1-1-2016-0253174-47
9	등록결정서 Decision to grant	2016.04.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0306578-57
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판에 배치되는 전면 전극;상기 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극;상기 전면 전극과 상기 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 입사받아 전기로 변환하는 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 및 상기 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 반사하는 도전성의 후면 반사층;을 포함하며,상기 후면 반사층의 두께는 200nm 이상 800nm 이하이고, 상기 후면 반사층의 굴절률은 1
2	2 제 1 항에 있어서,상기 후면 반사층이 알루미늄 아연 산화물(ZnOx:Al) 물질을 포함하는 경우, 상기 후면 반사층의 수평 저항은 15×10-3Ω㎝ 이상 70Ω㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
3	3 제 1 항에 있어서,상기 후면 반사층에서 상기 광전 변환부와 접하는 면은 텍스쳐링(Texturing) 되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
4	4 제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 P형 반도체층, 진성(i) 반도체층, 및 n형 반도체층을 포함하는 p-i-n 구조가 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
5	5 제 4 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 게르마늄(Ge)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
6	6 제 4 항에 있어서,상기 광전 변환부의 진성(i) 반도체층은 비정질 실리콘(a-si) 또는 미세 결정 실리콘(mc-si) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
7	7 제 1 항에 있어서,상기 후면 전극은 적어도 하나 이상의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지
8	8 제 1 항에 있어서,상기 후면 전극은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양 전지

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1632451-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110222 출원 번호 : 1020110015437 공고 연월일 : 20160621 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160427 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 31/054 발명의 명칭 : 박막 태양 전지 존속기간(예정)만료일 : 20190616

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	357,000 원	2016년 06월 15일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.02.22	수리 (Accepted)	1-1-2011-0125926-78
2	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2015.08.27	수리 (Accepted)	1-1-2015-0832873-89
4	선행기술조사의뢰서	2016.01.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2016.02.05	수리 (Accepted)	9-1-2016-0007546-23
6	의견제출통지서	2016.02.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0137769-51
7	[명세서등 보정]보정서	2016.03.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0253187-30
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.03.16	수리 (Accepted)	1-1-2016-0253174-47
9	등록결정서	2016.04.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0306578-57
10	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015053534
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	박막 태양 전지
기술개요	본 발명은 박막 태양 전지에 관한 것이다.본 발명에 따른 박막 태양 전지의 일례는 기판; 기판에 배치되는 전면 전극; 전면 전극 상부에 배치되는 후면 전극; 전면 전극과 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 입사받아 전기로 변환하는 광전 변환부; 및 광전 변환부 및 후면 전극 사이에 배치되며, 광을 반사하는 도전성의 후면 반사층;을 포함하며, 후면 반사층의 두께는 200nm 이상 800nm 이하이고, 후면 반사층의 굴절률은 1.8 이상 2.0 이하이며, 후면 반사층은 알루미늄 아연 산화물(ZnOx:Al), 붕소 아연 산화물(ZnOx:B), 및 미세 결정 실리콘 산화물(mc-SiOx:H) 중 적어도 하나의 물질을 포함한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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