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기판;상기 기판 위에 형성되어 있는 투명 전극;상기 투명 전극 위에 형성되어 있는 광전 변환층; 및상기 광전 변환층 위에 형성되어 있는 후면 전극을 포함하고,상기 투명 전극은 알루미늄이 도핑된 아연산화물로서, 상기 기판 상에 증착된 후 질소가스가 유입된 상태에서 섭씨 400도 이상의 온도로 열처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 광전 변환층과 상기 후면 전극 사이에, 상기 광전 변환층을 통과한 태양광을 상기 광전 변환층으로 재반사시키는 후면 반사층을 더 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극은, 500nm 이하의 파장을 가지는 단파장 대역의 광과 800nm 이상의 장파장 대역의 광에 대하여 열처리하기 전에 비하여 증가된 광 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극은, 열처리하기 전에 비하여 15% 이상 감소된 면저항을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극은 섭씨 450도 이상의 온도로 열처리되며, 열처리하기 전에 비하여 증가된 헤이즈율을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극은 상기 광전 변환층이 증착되는 면에 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지
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제6항에 있어서, 상기 투명 전극의 요철은 염산 식각액으로 인해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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기판 상에 알루미늄이 도핑된 아연산화물층을 증착하는 단계;질소가스를 유입시킨 상태에서 상기 아연산화물층을 열처리하여 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극 위에 광전 변환층을 형성하는 단계; 및상기 광전 변환층 위에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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제8항에 있어서,상기 투명 전극을 형성하는 단계는상기 아연산화물층을 섭씨 400도 이상의 온도로 열처리하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 투명 전극은, 500nm 이하의 파장을 가지는 단파장 대역의 광과 800nm 이상의 장파장 대역의 광에 대하여 열처리하기 전에 비하여 증가된 광 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 투명 전극은, 열처리하기 전에 비하여 15% 이상 감소된 면저항을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 투명 전극은 섭씨 450도 이상의 온도로 열처리되며, 열처리하기 전에 비하여 증가된 헤이즈율을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제8항에 있어서,상기 후면 전극을 형성하기 전에,상기 광전 변환층 상에 후면 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 후면 전극은 상기 후면 반사층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 광전 변환층을 형성하기 전에,상기 투명 전극의 일면에 요철을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 광전 변환층은 상기 투명 전극의 요철이 형성된 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 투명 전극의 요철은 상기 아연산화물층을 염산 식각액을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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