| 1 |
1
기판;상기 기판 위에 형성되는 투명 전극층;상기 투명 전극층 위에 형성되며, 제1 진성 반도체층을 포함하는 제1 광전변환층;상기 제1 광전변환층 위에 형성되며, 제2 진성 반도체층을 포함하는 제2 광전변환층상기 제2 광전변환층 상에 형성된 제3 광전변환층;상기 제1 광전변환층과 상기 제2 광전변환층의 사이 또는 제2 광전변환층과 상기 제3 광전변환층 사이 중 하나 이상의 위치에 형성되고, 산소 함유량이 60atomic% 이상 80atomic% 이하인 미세결정질 실리콘 옥사이드(microcrystalline silicon oxide (mc-SiO:H))로 형성되는 중간 반사층; 상기 제3 광전변환층 상에 형성된 후면 반사층; 및상기 후면 반사층 상에 형성된 후면 전극;을 포함하는 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 중간 반사층의 굴절률은 1
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 중간 반사층의 두께는 50nm 이상 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 중간 반사층의 비저항은 1E10 내지 1E4 인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 중간 반사층은 가스 비율 PH3/SiH4 = 5% 내지 10%의 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 중간 반사층은 2 이상의 서브레이어가 증착되어 형성되며,상기 중간 반사층의 상기 제1 서브레이어의 굴절률(refractive index, n)은 2 이하, 상기 제2 서브레이어의 굴절률은 3
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 중간 반사층은 mc-SiO로 이루어진 제1 서브레이어, a-Si로 이루어진 제2 서브레이어, mc-SiO로 이루어진 제3 서브레이어를 포함하는 다층의 서브레이어가 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 8 |
8
제6항에 있어서, 상기 제1 서브레이어 및 상기 제3 서브레이어의 두께는 20nm 이상 80nm 이하, 상기 제2 서브레이어의 두께는 10nm 이상 50 nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 제2 진성 반도체층의 두께는 170nm 이상 250 nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 10 |
10
기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계;상기 투명 전극층 위에 제1 광전변환층을 형성하는 단계;상기 제1 광전변환층 위에 축소된 두께의 제2 진성 반도체층을 포함하는 제2 광전변환층을 형성하는 단계;상기 제2 광전변환층 상에 저굴절률을 가지는 중간 반사층을 형성하는 단계;상기 중간 반사층 상에 제3 광전변환층을 형성하는 단계; 상기 제3 광전변환층 상에 후면 반사층을 형성하는 단계; 및상기 후면 반사층 상에 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 중간 반사층은 미세결정질 실리콘 옥사이드(microcrystalline silicon oxide (mc-SiO:H))로 형성되며, 상기 중간 반사층의 산소 함유량은 60atomic% 이상 80atomic% 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 제2 광전변환층을 형성하기 전에, 상기 제1 광전변환층 상에 상기 중간 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 중간 반사층의 굴절률은 1
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 중간 반사층은 50nm 이상 100nm 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 14 |
14
제10항에 있어서, 상기 중간 반사층의 비저항은 1E10 내지 1E4 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 15 |
15
제10항에 있어서, 상기 중간 반사층을 형성하는 단계에서상기 중간 반사층은 가스 비율 PH3/SiH4 = 5% 내지 10%의 농도로 도핑하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 16 |
16
제10항에 있어서, 상기 중간 반사층을 형성하는 단계는 2 이상의 서브레이어를 증착하는 단계를 포함하며,상기 중간 반사층의 상기 제1 서브레이어의 굴절률(refractive index, n)은 2 이하, 상기 제2 서브레이어의 굴절률은 3
|
| 17 |
17
제16항에 있어서, 상기 중간 반사층을 형성하는 단계는 mc-SiO로 이루어진 제1 서브레이어를 증착하는 단계;a-Si로 이루어진 제2 서브레이어를 증착하는 단계; 및mc-SiO로 이루어진 제3 서브레이어 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 18 |
18
제16항에 있어서, 상기 제1 서브레이어 및 상기 제3 서브레이어는 20nm 이상 80nm 이하의 두께로 증착하고, 상기 제2 서브레이어는 10nm 이상 50 nm 이하의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 19 |
19
제10항에 있어서, 상기 제2 진성 반도체층의 두께는 170nm 이상 250 nm 이하인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
