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기판; 및상기 기판에 형성되는 오염방지층을 포함하고,상기 오염방지층은 상기 기판과 접촉하고, 실리콘 산화물을 포함하는 제1 층; 및상기 제1 층 상에 배치되고, 플루오르계 화합물을 포함하는 제2 층을 포함하고,상기 플루오르계 화합물은 -CF2- 또는 -CF3 를 20 내지 100개로 포함하는 디스플레이용 기판 부재
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제1항에 있어서,상기 플루오르계 화합물은 플루오르화 알킬기를 포함하는 디플레이용 기판 부재
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삭제
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제1항에 있어서,상기 오염방지층의 두께가 2 nm 내지 50 nm 인 디플레이용 기판 부재
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제1항에 있어서,상기 오염방지층은 퍼플루오르화카본(perfluorocarbon, PFC), 하이드로플루오르에테르(hydrofluoroether, HFEs) 및 퍼플루오르헥산(perfluorohexane, PFH) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 디스플레이용 기판 부재
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리인 디플레이용 기판 부재
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기판 상에 실리콘 산화물을 포함하는 용액을 형성하는 단계;상기 기판 상에 퍼플루오르화카본(perfluorocarbon, PFC), 하이드로플루오르에테르(hydrofluoroether, HFEs) 및 퍼플루오르헥산(perfluorohexane, PFH) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 오염방지 용액을 형성하는 단계;상기 오염방지 용액을 코팅하는 단계; 및상기 오염방지 용액을 건조하는 단계를 포함하고, 상기 오염방지 용액을 코팅하는 단계는 스핀(spin) 코팅, 플로우(flow) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 딥(dip) 코팅, 슬릿 다이(slit die) 코팅 및 롤(roll) 코팅의 습식코팅방법으로 이루어진 군에서 선택되는 코팅방법으로 형성되고,상기 오염방지 용액은 -CF2- 또는 -CF3 를 20 내지 100개로 포함하는 디스플레이용 기판 부재 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 오염방지 용액을 건조하는 단계는 25 oC 내지 200 oC 의 온도에서 건조하는 디스플레이용 기판 부재 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 오염방지 용액을 코팅하는 단계에서 스핀 코팅으로 형성 시,상기 기판을 스핀 코터에 장착하고 상기 오염방지 용액을 상기 기판에 뿌린 후 500 rpm 내지 3000 rpm의 속도로 5 내지 30 초간 실시하는 디스플레이용 기판 부재 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 오염방지 용액을 코팅하는 단계는 상기 습식코팅방법을 적어도 두 가지 이상 사용하여 형성하는 디스플레이용 기판 부재 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 오염방지 용액을 코팅하는 단계에서,상기 기판을 스핀 코터 장착하고 상기 오염방지 용액을 스프레이를 이용하여 뿌리면서 코팅하는 디스플레이용 기판 부재 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 오염방지 용액은,상기 퍼플루오르화카본 또는 상기 하이드로플루오르에테르를 98 중량 % 이상 포함하는 디스플레이용 기판 부재 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 오염방지 용액은,퍼플루오르헥산을 1 중량 % 이하 포함하는 디스플레이용 기판 부재 제조 방법
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