| 1 |
1
리드프레임 캐리어층 상면에 다수의 패턴금속층을 형성하고,상기 패턴금속층 사이에 노출되는 상기 리드프레임캐리어층의 표면에 함몰영역을 형성하고,상기 리드프레임 캐리어층의 표면에 함몰영역을 형성하는 것은,상기 리드프레임 캐리어층의 상부면보다 낮은 오목한 구조의 패턴을 상기 패턴금속층을 에칭마스크로 하프에칭하여 상기 함몰영역을 형성하고, 상기 함몰영역은 상기 함몰영역의 일부가 상기 패턴금속층의 하부와 서로 오버랩되는 영역이 구현되도록 하프에칭을 수행하여 형성하는 리드프레임의 제조방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 다수의 패턴금속층을 형성하는 것은,감광성물질층에 1차패턴을 형성하고,반도체칩이 실장될 다이패드부 또는 I/O 패드부를 도금공정으로 패터닝하는 공정인 리드프레임의 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 다수의 패턴금속층을 형성하는 것은,Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co, Cu 중에 선택되는 1원, 2원 또는 3원의 합금을 사용하여, 단층 또는 다층의 도금패턴을 적어도 1 이상 형성하는 것인 리드프레임의 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 5에 있어서,상기 다수의 패턴금속층을 형성하는 것은,Au를 초기층으로 하여, Pd, Ni, Pd 층을 형성하되,최상위층인 Pd 또는 Ni 층의 표면에 요철구조를 구현하는 리드프레임의 제조방법
|
| 7 |
7
리드프레임 캐리어층 상면에 다수의 패턴금속층을 형성하고,상기 패턴금속층 사이에 노출되는 상기 리드프레임캐리어층의 표면에 함몰영역을 형성하고,칩 실장 및 와이어본딩 후, 상기 칩, 와이어 및 상기 함몰영역을 몰딩재로 충진하는 몰딩공정을 수행하고,상기 리드프레임 캐리어층을 제거하며,상기 몰딩공정을 수행하는 것은 상기 패턴금속층의 하부로 돌출되는 구조의 패턴그립영역이 형성되도록 하고, 상기 패턴그립영역은 상기 패턴금속층의 일부를 상기 몰딩재가 덮는 구조로 구현되는 반도체패키지의 제조방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
리드프레임용 캐리어층의 상면에 형성되는 다수의 패턴금속층;상기 패턴금속층 사이에 노출되는 상기 리드프레임용 캐리어층의 노출영역이 상기 리드프레임용 캐리어층의 상부면보다 낮은 함몰영역;을 포함하고,상기 함몰영역의 폭은 상기 패턴금속층 간의 간격보다 크게 형성되고, 상기 함몰영역은 상기 함몰영역의 일부가 상기 패턴금속층의 하부와 서로 오버랩되는 영역이 구현되도록 형성되는 리드프레임
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
반도체칩;상기 반도체칩이 실장되는 다이패드부를 포함하는 적어도 1 이상의 패턴금속층;상기 반도체칩을 몰딩하는 몰딩부;를 포함하되,상기 몰딩부는 상기 패턴금속층의 하부로 돌출되는 패턴그립영역을 구비하고, 상기 패턴그립영역은 상기 패턴금속층 간의 폭보다 넓은 폭을 구비하며, 상기 패턴금속층의 하부면 일부를 덮도록 형성되는 반도체패키지
|
| 14 |
14
삭제
|
