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지지기판;상기 지지기판 상에 이면전극층;상기 이면전극층 상에 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 비소(As)를 포함하는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 윈도우층;을 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 As2X3의 화학식으로 형성되는 태양전지
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제2항에 있어서,상기 X는 6족 원소를 포함하는 태양전지
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제3항에 있어서,상기 광 흡수층이 CIGS를 포함하는 경우, 상기 X는 Se인 태양전지
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제3항에 있어서,상기 광 흡수층이 CIGSS를 포함하는 경우, 상기 X는 S인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 버퍼층의 밴드갭은 2
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지지기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 비소(As)를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
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8
제7항에 있어서,상기 버퍼층의 표면에 가시광선 대역의 레이저를 이용하여 상기 버퍼층을 표면처리하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
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9
제7항에 있어서,상기 버퍼층의 표면에 상기 버퍼층보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 레이저를 이용하여 상기 버퍼층을 표면처리하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
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