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웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015053798
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요약 본 발명은 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치는, 웨이퍼를 지지하는 지지대; 상기 웨이퍼 상에 산화제를 분사할 수 있도록 다수의 분사구가 이격되어 형성된 분사 장치; 를 포함하고, 상기 분사구는 웨이퍼의 표면에 수직인 직선에 대해 경사지게 방사상으로 형성되어, 상기 분사 장치는 상기 산화제가 분사될 때의 유체 압력에 의해 중심축을 중심으로 무동력 회전이 가능한 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 따르면, 간단한 구조와 저렴한 비용으로 웨이퍼 상에 양호한 품질의 산화막을 형성할 수 있는 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/6715(2013.01) H01L 21/6715(2013.01) H01L 21/6715(2013.01)
출원번호/일자 1020110024768 (2011.03.21)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-1302586-0000 (2013.08.27)
공개번호/일자 10-2012-0107206 (2012.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20130903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정원욱 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0203711-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0092481-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0417113-73
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0731552-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0731551-98
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0029751-71
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0225148-55
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0225147-10
10 등록결정서
Decision to grant
2013.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0517949-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼를 지지하는 지지대;상기 웨이퍼 상에 오존수를 분사할 수 있도록 다수의 분사구가 이격되어 형성된 분사 장치;를 포함하고, 상기 분사구는 웨이퍼의 표면에 수직인 직선에 대해 경사지게 방사상으로 형성되고 상기 웨이퍼의 표면에 수직인 직선에 대하여 경사지게 형성되어, 상기 분사 장치는 상기 오존수가 분사될 때의 유체 압력에 의해 중심축을 중심으로 무동력 회전이 가능한 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 분사 장치는, 상기 오존수가 공급되는 유로가 형성된 중앙부와, 상기 중앙부와 유체 연통되어 상기 중앙부로부터 방사상으로 연장되고 상기 분사구가 이격되어 형성된 복수의 분지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 분지부는 상기 중앙부로부터 하방으로 경사지게 연장되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 분사구의 경사각도는 30 내지 60°인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 분사구의 직경은 1 내지 3mm 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치
6 6
제2항에 있어서,상기 분지부 상에서 각각의 상기 분사구가 이격되는 거리는 1 내지 3cm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치
7 7
삭제
8 8
지지대 상에 웨이퍼를 안착시키는 단계;중심축을 중심으로 회전하는 분사 장치에 구비된 분사구에 의해 오존수를 상기 웨이퍼의 표면에 대해 경사지게 상기 웨이퍼 상으로 분사하는 단계;를 포함하고,상기 분사구는 상기 중심축을 중심으로 방사상으로 이격되어 형성되고, 상기 웨이퍼의 표면에 수직인 직선에 대해 경사지게 형성되어, 상기 분사 장치는 상기 오존수가 분사될 때의 유체 압력에 의해 상기 중심축을 중심으로 무동력 회전이 가능한 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 방법
9 9
삭제
10 10
웨이퍼를 지지하는 지지대;중심축을 중심으로 회전 가능하고, 상기 웨이퍼 상에 오존수를 분사할 수 있도록 다수의 분사구가 이격되어 형성된 분사 장치;를 포함하고,상기 분사 장치는, 상기 오존수가 공급되는 유로가 형성된 중앙부와, 상기 중앙부와 유체 연통되어 상기 중앙부로부터 방사상으로 연장되고 상기 분사구가 이격되어 형성된 복수의 분지부를 포함하고, 상기 분지부 상에서 각각의 상기 분사구가 이격되는 거리는 1 내지 3cm인 웨이퍼 상에 산화막을 형성하기 위한 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.