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SiO2를 포함하는 금속 산화물 분말, 바인더 및 유기 용매를 포함하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성용 식각 마스크 페이스트
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제1항에 있어서,상기 전극은 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성용 식각 마스크 페이스트
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물은 TiO2, P2O5, BaO, ZnO, ITO 및 Al2O3 중에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성용 식각 마스크 페이스트
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제1항에 있어서,상기 바인더는 셀룰로오스계, 에폭시계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리아크릴계 수지 및 폴리프로필렌계 수지로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성용 식각 마스크 페이스트
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제1항에 있어서,상기 유기 용매는 부틸 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨, 터피네올 및 텍사놀로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성용 식각 마스크 페이스트
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제1항에 있어서,상기 식각 마스크 페이스트로 형성된 식각 마스크는 물로 세정되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성용 식각 마스크 페이스트
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제1항에 있어서,가소제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성용 식각 마스크 페이스트
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(S1) n형 에미터와 p형 에미터가 교대로 형성된 후면전극형 태양전지의 후면 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;(S2) 상기 패시베이션층을 상기 n형 에미터 및 p형 에미터와 접속할 전극 패턴에 따라 식각하는 단계;(S3) 상기 식각된 패시베이션층에 전극용 금속층을 증착하는 단계;(S4) 상기 금속층 상의 전극 패턴이 형성될 위치에 SiO2를 포함하는 금속 산화물 분말, 바인더 및 유기 용매를 포함하는 식각 마스크 페이스트로 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계;(S5) 상기 식각 마스크 패턴을 마스크로 하여 전극용 금속층을 식각하는 단계; 및(S6) 물을 포함하는 세정 용액으로 상기 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 패시베이션층은 SiO2로 형성된 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 (S3) 단계의 전극용 금속층은 알루미늄층인 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 전극 패턴 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 (S4) 단계의 식각 마스크 페이스트에 있어서 금속 산화물은 산화물은 TiO2, P2O5, BaO, ZnO, ITO 및 Al2O3 중에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 (S4) 단계의 식각 마스크 페이스트에 있어서 바인더는 셀룰로오스계, 에폭시계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리프로필렌계 수지로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 (S4) 단계의 식각 마스크 페이스트에 있어서 유기 용매는 부틸 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨, 터피네올 및 텍사놀로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 전극 패턴 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 (S4) 단계의 식각 마스크 페이스트는 가소제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 전극 패턴 형성 방법
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n형 에미터와 p형 에미터가 교대로 형성된 후면전극형 태양전지의 후면에 상기 n형 에미터 및 p형 에미터와 각각 접속된 제1 전극 패턴 및 제2 전극 패턴을 구비하는 후면전극형 태양전지에 있어서,상기 제1 전극 패턴과 제2 전극 패턴 중 적어도 하나는 제8항의 형성방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지
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