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태양전지 및 이의 제조방법

기술번호 : KST2015053920
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 2 전극층을 포함하고, 상기 광 흡수층은 도펀트를 포함하는 다수 개의 도핑 도트들을 포함한다.
Int. CL	H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC	H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자	1020110031335 (2011.04.05)
출원인	엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자	10-1210135-0000 (2012.12.03)
공개번호/일자	10-2012-0113565 (2012.10.15) 문서열기
공고번호/일자	(20121207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.04.05)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강서구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	배도원	대한민국	서울특별시 중구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서교준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사		서울특별시 중구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.04.05	수리 (Accepted)	1-1-2011-0247622-21
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.01.17	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.02.17	수리 (Accepted)	9-1-2012-0010933-12
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.05.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0282732-92
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.07.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0561535-79
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.07.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0561533-88
7	등록결정서 Decision to grant	2012.10.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0657768-19
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상에 배치되는 제 1 전극층;상기 제 1 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 2 전극층을 포함하고,상기 광 흡수층은 도펀트를 포함하는 다수 개의 도핑 도트들을 포함하며,상기 광 흡수층은상기 도핑 도트들을 제 1 밀도로 포함하는 제 1 중간 밴드 영역; 상기 도핑 도트들을 제 2 밀도로 포함하는 제 2 중간 밴드 영역; 및상기 도핑 도트들을 제 3 부피 비율로 포함하는 제 3 중간 밴드 영역을 포함하고, 상기 제 2 밀도는 상기 제 1 밀도보다 더 크고, 상기 제 3 부피 비율은 상기 제 2 밀도보다 더 크고, 상기 제 2 중간 밴드 영역은 상기 제 1 중간 밴드 영역 상에 배치되고, 상기 제 3 중간 밴드 영역은 상기 제 2 중간 밴드 영역 상에 배치되는 태양전지
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 도펀트는 Ⅲ족 원소를 포함하는 태양전지
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 구리-인듐-셀레나이드계 화합물을 포함하고,상기 도펀트는 갈륨, 알루미늄, 붕소 또는 탈륨을 포함하는 태양전지
4	4 삭제
5	5 삭제
6	6 삭제
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 중간 밴드 영역의 밴드갭 에너지는 상기 제 1 중간 밴드 영역의 밴드갭 에너지보다 더 크고,상기 제 3 중간 밴드 영역의 밴드갭 에너지는 상기 제 2 중간 밴드 영역의 밴드갭 에너지보다 더 큰 태양전지
8	8 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광 흡수층은 도펀트를 포함하는 다수 개의 도핑 도트들을 포함하고,상기 광 흡수층을 형성하는 단계는상기 제 1 전극층 상에 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물 및 상기 도펀트를 포함하는 입자들을 동시에 증착하여, 예비 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 예비 광 흡수층을 열처리하여, 상기 도핑 도트들을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 광 흡수층을 형성하는 단계는상기 제 1 전극층 상에 예비 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 예비 광 흡수층에 상기 도펀트를 임플란팅하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
10	10 삭제
11	11 제 8 항에 있어서, 상기 예비 광 흡수층을 형성하는 단계는상기 제 1 전극층 상에 상기 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 증착하면서, 동시에 상기 도펀트를 포함하는 입자들을 제 1 밀도로 증착하는 단계;상기 제 1 전극층 상에 상기 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 증착하면서, 동시에 상기 도펀트를 포함하는 입자들을 제 2 밀도로 증착하는 단계; 및상기 제 1 전극층 상에 상기 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 증착하면서, 동시에 상기 도펀트를 포함하는 입자들을 제 3 부피 비율로 증착하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
12	12 제 8 항에 있어서, 상기 예비 광 흡수층을 형성하는 단계는상기 제 1 전극층 상에 상기 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물만 증착하는 단계; 및상기 제 1 전극층 상에 상기 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 증착하면서, 동시에 상기 도펀트를 포함하는 입자들을 증착하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1210135-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110405 출원 번호 : 1020110031335 공고 연월일 : 20121207 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121031 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양전지 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20181204

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	357,000 원	2012년 12월 03일	납입
제 4 년분	금 액	216,000 원	2015년 11월 05일	납입
제 5 년분	금 액	216,000 원	2016년 11월 04일	납입
제 6 년분	금 액	216,000 원	2017년 11월 07일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.04.05	수리 (Accepted)	1-1-2011-0247622-21
2	선행기술조사의뢰서	2012.01.17	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2012.02.17	수리 (Accepted)	9-1-2012-0010933-12
4	의견제출통지서	2012.05.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0282732-92
5	[명세서등 보정]보정서	2012.07.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0561535-79
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.07.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0561533-88
7	등록결정서	2012.10.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0657768-19
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
9	출원인정보변경(경정)신고서	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
10	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01


기술번호	KST2015053920
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	태양전지 및 이의 제조방법
기술개요	태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 2 전극층을 포함하고, 상기 광 흡수층은 도펀트를 포함하는 다수 개의 도핑 도트들을 포함한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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