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광소자 패키지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015053997
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광소자 패키지 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 패키지 제조 방법은 비아홀이 형성된 절연층의 일 면 상에 금속층을 형성하며; 상기 금속층 상에 회로패턴층을 형성하고; 상기 절연층의 다른 면 상에 리플렉터를 위한 금형을 위치시키고, 금형에 몰드용 수지를 주입함으로써 리플렉터를 형성하고; 상기 비아홀에 의해 노출된 상기 금속층의 부분에 광소자를 실장하는 것을 포함한다. 이와 같이, 본 발명은 광소자 패키지에 금형을 이용하여 리플렉터를 형성하여, 광소자로부터 나오는 광의 일부, 특히, 패키지의 에지 방향으로 방출되는 광이 리플렉터에 의해 반사되어 패키지의 전면 방향을 향하게 되며, 광도를 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/60 (2014.01) H01L 33/48 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110030885 (2011.04.04)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1263805-0000 (2013.05.07)
공개번호/일자 10-2012-0113133 (2012.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130513) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백지흠 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0244596-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009605-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0304573-34
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0565836-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0565837-45
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0606656-20
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-1022184-27
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0031411-19
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0117084-76
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0117082-85
12 등록결정서
Decision to grant
2013.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0275922-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
폴리이미드 필름으로 이루어지고 비아홀이 형성된 절연층의 일 면 상에 금속층을 형성하며;상기 금속층 상에 회로패턴층을 형성하고;상기 절연층의 다른 면 상에 리플렉터를 위한 금형을 위치시키고, 금형에 몰드용 수지를 주입함으로써 리플렉터를 형성하고;상기 비아홀에 의해 노출된 상기 금속층의 부분에 광소자를 실장하는 것을 포함하는 광소자 패키지 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 회로 패턴층을 은(Ag)으로 도금하는 것을 더 포함하는 광소자 패키지 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,와이어를 이용하여 상기 광소자와 상기 회로 패턴층을 전기적으로 연결하는 것을 더 포함하는 광소자 패키지 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 광소자 및 상기 와이어를 몰딩함으로써 몰딩부를 형성하는 것을 더 포함하는 광소자 패키지 제조 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 몰드용 수지의 주입은 인젝터를 이용하여 수행되는 광소자 패키지 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 인젝터는 개별 몰드 방식용 인젝터 및 블록 몰드 방식용 인젝터를 포함하는 광소자 패키지 제조 방법
7 7
폴리이미드 필름으로 이루어지고 비아홀이 형성된 절연층;상기 절연층의 일면 상에 형성된 회로패턴층; 상기 절연층의 다른 면 상에 형성된 리플렉터; 및비아홀에 의해 노출된 상기 회로패턴층의 부분에 실장되는 광소자를 포함하는 광소자 패키지
8 8
제7항에 있어서, 상기 리플렉터는 상기 광소자로부터 상기 광소자 패키지의 에지 방향으로 방출되는 광을 상기 광소자 패키지의 전면으로 향하게 하도록 상기 광소자에 인접하여 위치하는 광소자 패키지
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서,상기 회로 패턴층은 은(Ag)으로 도금되는 광소자 패키지
11 11
제7항에 있어서,상기 광소자와 상기 회로 패턴층을 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함하는 광소자 패키지
12 12
제11항에 있어서,상기 광소자 및 상기 와이어를 몰딩함으로써 형성된 몰딩부를 더 포함하는 광소자 패키지
13 13
제7항에 있어서, 상기 리플렉터는 광소자 상단보다 높은 광소자 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.