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Ｔｉ-Ｉｎ-Ｚｎ-Ｏ 투명전극 및 이를 이용한 금속 삽입형 3층 구조 고전도도 투명전극과 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015054181
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉시블 염료감응형 태양전지용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기존의 높은 증착 온도를 가진 FTO(Fluorine doped tin oxide) 및 ITO(Indium-tin oxide) 투명전극에 비하여, 상온 혹은 저온에서 증착함에도 불구하고, 낮은 면 저항, 높은 전도도 및 투과도, 외부 구부림에 대한 우수한 저항성 및 개선된 계면특성과 향상된 표면 거칠기 성능을 갖는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극 제조방법과 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극과 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/20 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110041687 (2011.05.02)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1232717-0000 (2013.02.06)
공개번호/일자 10-2012-0123990 (2012.11.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.02)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허기석 대한민국 광주광역시 북구
2 김태원 대한민국 광주광역시 광산구
3 박재철 대한민국 전라남도 장성군
4 김광영 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0327001-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0020532-07
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0463092-14
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0812048-66
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0920970-93
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0920963-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0076387-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉시블 투명기판을 준비하는 단계; 및상기 기판상에 Ti 및 IZO를 동시에 증착하거나 Ti-In-Zn-O 단일 타겟을 이용하여 Ti-In-Zn-O 박막을 형성하는 단계;를 포함하는데,상기 박막은 실온에서 형성되고, 형성된 박막은 비정질 구조인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 투명기판은 폴리에테르술폰(PES:polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR:polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI:polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN:polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET: polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide:PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리아미드(PI:polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate:CAP)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 투명기판은 함습률을 낮추기 위해 일정온도로 열처리 되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 박막을 형성하는 단계는 RF/DC magnetron 방식의 sputter를 이용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,Ti 및 IZO를 동시에 증착하여 상기 박막을 형성하는 단계는 온도 : 실온, gas flow(sccm) : Ar - 24
6 6
실온에서 플렉시블 투명기판 상에 형성된 Ti-In-Zn-O 박막을 포함하여 이루어지는데, 상기 박막은 비정질구조인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극
7 7
제 6 항에 있어서,상기 Ti-In-Zn-O 박막의 공정조건에 따라 변화하는 산소를 제외한 구성 금속원소의 조성비가 Ti 8at%, In 76at%, Zn 16at%에서 최소의 면저항을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 Ti-In-Zn-O 투명전극
8 8
플렉시블 투명기판을 준비하는 단계;상기 투명기판상에 Ti 및 IZO를 동시에 증착하거나 Ti-In-Zn-O 단일 타겟을 이용하여 제1 Ti-In-Zn-O 박막을 형성하는 단계;상기 제1 제1 Ti-In-Zn-O 박막 상부에 금속 박막을 형성하는 단계; 및상기 금속 박막의 상부에 Ti 및 IZO를 동시에 증착하거나 Ti-In-Zn-O 단일 타겟을 이용하여 제2 Ti-In-Zn-O 박막을 형성하는 단계;를 포함하는데,상기 각 박막들은 실온에서 형성되고 상기 제1 Ti-In-Zn-O 박막 및 제2 Ti-In-Zn-O 박막은 비정질구조를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 투명기판은 유리기판, 폴리에테르술폰(PES:polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR:polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI:polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN:polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET: polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide:PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리아미드(PI:polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate:CAP)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 금속 박막은 Ag, Cu, Al, Au 를 포함하는 금속그룹에서 선택된 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극의 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 제1 제1 Ti-In-Zn-O 박막, 제2 제1 Ti-In-Zn-O 박막 및 금속 박막은 RF magnetron 방식의 sputter를 이용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 각각의 박막을 형성하는 단계는003c#Ti 및 IZO를 동시에 증착하여 형성하는 제1 Ti-In-Zn-O박막 및 제2 Ti-In-Zn-O박막003e#온도 : 실온, gas flow(sccm) : Ar - 24
13 13
플렉시블 투명기판 상에 형성된 제1 Ti-In-Zn-O 박막;상기 제1 Ti-In-Zn-O 박막 상에 형성된 금속박막; 및상기 금속박막 상에 형성된 제2 Ti-In-Zn-O 박막;을 포함하고,상기 각 박막들은 실온에서 형성되고 상기 제1 Ti-In-Zn-O 박막 및 제2 Ti-In-Zn-O 박막은 비정질구조를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극
14 14
제 13 항에 있어서,상기 투명전극의 면저항이 8 Ω/sq이하인 것을 특징으로 하는 플렉시블 염료감응형 태양전지용 금속 삽입형 3층 구조 고전도 투명전극
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