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무분극 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015054201
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것으로 특히, 무분극 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, r-면 사파이어 기판; 상기 기판 상에 위치하고, a-면 질화물계 반도체를 포함하며, 제 1전도성 반도체층, 활성층, 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 질화물 반도체층; 상기 제 2 전도성 반도체층 상에 위치하며, 역 피라미드 형의 음각 형상을 가지는 다수의 단위구조를 포함하는 적어도 한 층 이상의 인듐을 포함하는 층으로 이루어지는 광 추출층; 상기 제 1전도성 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및 상기 제 2전도성 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 2전극을 포함하여 구성될 수 있다.
Int. CL	H01L 33/22 (2010.01)
CPC
출원번호/일자	1020110045166 (2011.05.13)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1481593-0000 (2015.01.06)
공개번호/일자	10-2012-0126981 (2012.11.21) 문서열기
공고번호/일자	(20150112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.09.12)
심사청구항수	17

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	정석구	대한민국	서울특별시 서초구
2	장영학	대한민국	서울특별시 서초구
3	김형구	대한민국	서울특별시 서초구
4	방규현	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	방해철	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.05.13	수리 (Accepted)	1-1-2011-0355529-38
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.09.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0737377-89
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.09.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0737378-24
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.04.02	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.05.09	수리 (Accepted)	9-1-2013-0035883-92
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.10.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0714035-88
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.11.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1077926-11
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.11.26	수리 (Accepted)	1-1-2013-1077929-47
9	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2014.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0284546-11
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.06.23	수리 (Accepted)	1-1-2014-0585171-84
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.06.23	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0585170-38
12	등록결정서 Decision to grant	2014.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0734499-41
13	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.12.20	수리 (Accepted)	1-1-2014-1239789-31
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 r-면 사파이어 기판;상기 기판 상에 위치하고, a-면 질화물계 반도체를 포함하며, 제 1전도성 반도체층, 활성층, 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 질화물 반도체층;상기 제 2전도성 반도체층 상에 위치하며, 역 피라미드 형의 음각 형상을 가지는 다수의 단위구조를 포함하는 적어도 한 층 이상의 인듐을 포함하는 층으로 이루어지는 광 추출층;상기 제 1전도성 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및상기 제 2전도성 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 피라미드 형은, 가상의 밑면이 사각형인 피라미드 형인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
3	3 제 2항에 있어서, 상기 가상의 밑면은, 다이아몬드 형 또는 마름모 형인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
4	4 제 2항에 있어서, 상기 가상의 밑면은, 인접한 두 변과, 상기 두 변에 마주하는 두 변의 길이가 서로 다른 비대칭형 사각형인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
5	5 제 1항에 있어서, 상기 광 추출 층은, 적어도 하나 이상의 제 1층과 제 2층이 교차된 구조인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
6	6 제 5항에 있어서, 상기 제 1층은 InGaN 층이고, 상기 제 2층은 GaN 층인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
7	7 제 5항에 있어서, 상기 제 1층의 두께는, 1 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
8	8 제 5항에 있어서, 상기 제 1층과 제 2층은, 2 내지 50 쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
9	9 제 1항에 있어서, 상기 광 추출 층 상에는, 과 도핑된 제 2전도성 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
10	10 제 9항에 있어서, 상기 과 도핑된 제 2전도성 반도체층 상에는, 투명 전도성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
11	11 삭제
12	12 제 1항에 있어서, 상기 광 추출층은 InGaN을 포함하고, 상기 인듐의 비율은, 상기 광 추출층에 포함된 전체 3족 원소 대비 1 내지 12 %인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
13	13 제 1항에 있어서, 상기 광 추출 층의 단위구조는,상기 역 피라미드 형의 음각 형상을 가지는 다수의 제 1단위구조; 및 상기 제 1단위구조 사이에 위치하며 상기 제 1단위구조보다 크기가 작은 음각 형상을 가지는 다수의 제 2단위구조를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자
14	14 삭제
15	15 삭제
16	16 삭제
17	17 삭제
18	18 삭제
19	19 삭제
20	20 삭제
21	21 r-면 사파이어 기판 상에 1전도성 반도체층, 활성층, 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 a-면 질화물 반도체층을 성장시키는 단계;상기 질화물 반도체층 상에 인듐을 포함하고 역 피라미드 형의 음각 형상을 가지는 다수의 단위구조를 포함하는 광 추출층을 형성하는 단계;상기 광 추출층 상에 과 도핑된 제 2전도성 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2전도성 반도체층 상에 투명 전도성층을 형성하는 단계;상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극을 형성하는 단계; 및상기 투명 전도성층 상에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조방법
22	22 제 21항에 있어서, 상기 광 추출층은, InGaN을 포함하는 제 1층과, GaN을 포함하는 제 2층이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조방법
23	23 제 22항에 있어서, 상기 제 1층과 제 2층은 적어도 2쌍 이상 교차되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조방법
24	24 제 21항에 있어서, 상기 광 추출층을 형성하는 단계는, 수직 방향의 성장 속도가 수평 방향의 성장 속도에 비하여 상대적으로 높은 조건으로 형성하는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조방법
25	25 제 21항에 있어서, 상기 광 추출층은 InGaN을 포함하고, 상기 인듐의 비율은, 상기 광 추출층에 포함된 전체 3족 원소 대비 1 내지 12%인 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US09184340	US	미국	FAMILY
2	US20120286286	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1	US2012286286	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US9184340	US	미국	DOCDBFAMILY

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1481593-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110513 출원 번호 : 1020110045166 공고 연월일 : 20150112 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141028 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 33/22 발명의 명칭 : 무분극 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	708,000 원	2015년 01월 07일	납입
제 4 년분	금 액	414,000 원	2017년 12월 22일	납입
제 5 년분	금 액	414,000 원	2018년 12월 24일	납입
제 6 년분	금 액	414,000 원	2019년 12월 24일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.05.13	수리 (Accepted)	1-1-2011-0355529-38
2	[명세서등 보정]보정서	2012.09.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0737377-89
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.09.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0737378-24
4	선행기술조사의뢰서	2013.04.02	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2013.05.09	수리 (Accepted)	9-1-2013-0035883-92
6	의견제출통지서	2013.10.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0714035-88
7	[명세서등 보정]보정서	2013.11.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1077926-11
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.11.26	수리 (Accepted)	1-1-2013-1077929-47
9	최후의견제출통지서	2014.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0284546-11
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.06.23	수리 (Accepted)	1-1-2014-0585171-84
11	[명세서등 보정]보정서	2014.06.23	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0585170-38
12	등록결정서	2014.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0734499-41
13	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.12.20	수리 (Accepted)	1-1-2014-1239789-31
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
15	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015054201
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	무분극 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
기술개요	본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것으로 특히, 무분극 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, r-면 사파이어 기판; 상기 기판 상에 위치하고, a-면 질화물계 반도체를 포함하며, 제 1전도성 반도체층, 활성층, 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 질화물 반도체층; 상기 제 2 전도성 반도체층 상에 위치하며, 역 피라미드 형의 음각 형상을 가지는 다수의 단위구조를 포함하는 적어도 한 층 이상의 인듐을 포함하는 층으로 이루어지는 광 추출층; 상기 제 1전도성 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및 상기 제 2전도성 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 2전극을 포함하여 구성될 수 있다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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