| 1 |
1
태양전지용 전면 전극으로서, 반도체 기판 상에 서로 평행한 다수의 그리드 전극들 및 상기 그리드 전극들과 교차하는 하나 또는 그 이상의 집전용 전극으로 이루어진 패턴이 형성되어 있고, 상기 그리드 전극으로 유입된 전류는 집전용 전극으로 이동하여 집전되며, 상기 그리드 전극의 폭은 집전용 전극에 대한 거리에 반비례하여 비연속적으로 증가하는 구조로 이루어져 있고, 그리드 전극의 폭이 50 내지 150 ㎛인 제 1 패턴부 및 그리드 전극의 폭이 제 1 패턴부의 그리드 전극의 폭보다 작은 범위 내에서 10 내지 60 ㎛인 제 2 패턴부로 이루어진 전면 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 그리드 전극은 상기 집전용 전극과 직교하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 그리드 전극의 폭은 집전용 전극에 대한 거리에 반비례하여 연속적으로 증가하는 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 그리드 전극 폭의 증가율은 집전용 전극에 접한 그리드 전극 폭이 대향 단부의 폭에 대해 50 내지 500%의 폭 증가를 갖는 범위에 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 패턴부는 둘 또는 그 이상의 그리드 전극들이 접합된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패턴부의 그리드 전극과 제 2 패턴부의 그리드 전극 사이에는 이들의 단부를 연결하는 수지상(dendrite) 전극이 위치하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 수지상 전극 폭은 제 2 패턴부의 그리드 전극 폭을 기준으로 1 내지 2 배인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 패턴부의 그리드 전극 폭은 수지상 전극 폭보다 큰 범위에서, 제 2 패턴부의 그리드 전극 폭을 기준으로 1
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서, 상기 수지상 전극은 제 2 패턴부의 그리드 전극의 폭과 동일하거나 또는 그보다 큰 범위에서 10 내지 60 ㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패턴부의 그리드 전극들 간의 간격은 상기 제 2 패턴부의 그리드 전극들 간의 간격을 기준으로 0
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 패턴부의 그리드 전극들 간의 간격은 0
|
| 12 |
12
제 6 항에 있어서, 그리드 전극의 총 길이 대비, 상기 제 2 패턴부의 그리드 전극의 길이는 10 내지 70%이고, 상기 제 1 패턴부의 그리드 전극의 길이는 30 내지 90%이며, 상기 수지상 전극의 길이는 0 내지 10%인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 결정성 실리콘으로 이루어진 n형 반도체 층인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 저항은 50 옴(Ω) 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
