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직류/직류 변환 장치

  • 기술번호 : KST2015054326
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요약 본 발명은 직류/직류 변환 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예는 입력 인덕터, 상기 입력 인덕터에 연결되는 공진 인덕터와, 상기 입력 인덕터에 연결되는 제 1 공진 커패시터와, 상기 공진 인덕터에 연결되는 제 2 공진 커패시터를 포함하는 공진부, 상기 공진 인덕터에 연결되는 제 1 스위칭 소자와, 상기 제 1 스위칭 소자에 역방향으로 병렬 연결되는 제 1 역방향 다이오드를 포함하는 제 1 스위칭부, 상기 제 1 공진 커패시터와 상기 제 1 스위칭 소자 사이에 연결되는 제 1 다이오드, 상기 제 1 공진 커패시터와 상기 공진 인덕터 사이에 연결되는 제 2 다이오드, 상기 제 1 공진 커패시터에 연결되는 제 2 스위칭 소자와, 상기 제 2 스위칭 소자에 역방향으로 병렬 연결되는 제 2 역방향 다이오드를 포함하는 제 2 스위칭부 및 상기 제 2 스위칭 소자에 연결되는 평활 커패시터를 포함하여 된 것이다. 직류/직류, 소프트 스위칭, 3상
Int. CL H02M 3/155 (2006.01) H02M 3/07 (2006.01)
CPC H02M 3/155(2013.01) H02M 3/155(2013.01) H02M 3/155(2013.01)
출원번호/일자 1020080081996 (2008.08.21)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0986183-0000 (2010.10.01)
공개번호/일자 10-2010-0023304 (2010.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20101007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강경남 대한민국 서울 성북구
2 정용채 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0596714-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0150786-60
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0370888-76
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0370911-39
7 등록결정서
Decision to grant
2010.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0420159-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 인덕터; 상기 입력 인덕터에 연결되는 공진 인덕터와, 상기 입력 인덕터에 연결되는 제 1 공진 커패시터와, 상기 공진 인덕터에 연결되는 제 2 공진 커패시터를 포함하는 공진부; 상기 공진 인덕터에 연결되는 제 1 스위칭 소자와, 상기 제 1 스위칭 소자에 역방향으로 병렬 연결되는 제 1 역방향 다이오드를 포함하는 제 1 스위칭부; 상기 제 1 공진 커패시터와 상기 제 1 스위칭 소자 사이에 연결되는 제 1 다이오드; 상기 제 1 공진 커패시터와 상기 공진 인덕터 사이에 연결되는 제 2 다이오드; 상기 제 1 공진 커패시터에 연결되는 제 2 스위칭 소자와, 상기 제 2 스위칭 소자에 역방향으로 병렬 연결되는 제 2 역방향 다이오드를 포함하는 제 2 스위칭부; 및 상기 제 2 스위칭 소자에 연결되는 평활 커패시터를 포함하는 직류/직류 변환 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 제 1 스위칭 소자는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)인 것을 특징으로 하는 직류/직류 변환 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 제 1 스위칭 소자는 모스 트랜지스터(MOS FET; Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 직류/직류 변환 장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 제 1 역방향 다이오드는 상기 모스 트랜지스터에 기생하는 바디 다이오드인 것을 특징으로 하는 직류/직류 변환 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 제 2 스위칭 소자는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)인 것을 특징으로 하는 직류/직류 변환 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 제 2 스위칭 소자는 모스 트랜지스터(MOS FET; Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 직류/직류 변환 장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 제 2 역방향 다이오드는 상기 모스 트랜지스터에 기생하는 바디 다이오드인 것을 특징으로 하는 직류/직류 변환 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.