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다열형 리드프레임 반도체 패키지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015054368
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다열형 리드프레임 반도체 패키지 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 리드프레임 패턴을 형성하는 단계와; 상기 리드프레임의 패턴에 갭 필링 재료를 쌓고 건조하여 갭 필링을 수행하는 단계와; 상기 갭 필링 부분을 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝 후 표면 처리를 수행하는 단계;를 포함하여 구성함으로서, 갭 필링의 형태를 다양화하여 표면적을 크게 함으로써 패키지 제작시 EMC 재료와 갭 필링 재료의 접착력을 향상시켜 신뢰성을 향상시키고 디래미네이션을 방지할 수 있게 되는 것이다. 다열형 리드프레임, 반도체 패키지, EMC, 갭 필링, delamination
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/495 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080085365 (2008.08.29)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1041001-0000 (2011.06.07)
공개번호/일자 10-2010-0026382 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20110616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.29)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류성욱 대한민국 서울특별시 서초구
2 이성원 대한민국 서울특별시 서초구
3 김지윤 대한민국 경기 수원시 영통구
4 이혁수 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이엘에스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0618756-49
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0697727-45
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0269921-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0548707-06
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0548710-33
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0541744-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0077321-06
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0077337-25
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296281-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리드프레임 패턴을 형성하는 단계와; 상기 리드프레임의 패턴에 갭 필링 재료를 쌓고 건조하여 갭 필링을 수행하되, 건조 후 코팅 공법을 이용하여 갭 필링율을 조절하는 단계와; 상기 갭 필링 부분을 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝 후 표면 처리를 수행하는 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
2 2
리드프레임 상부에 패턴을 형성하는 단계와; 상기 리드프레임 상부의 패턴에 갭 필링 재료를 쌓고 건조하여 갭 필링을 수행하는 단계와; 상기 갭 필링 부분을 패터닝하는 단계와; 상기 리드프레임 하부에 패턴을 형성하는 단계와; 상기 리드프레임 하부에 패턴 형성 후 표면 처리를 수행하는 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
3 3
리드프레임 상부에 패턴을 형성하는 단계와; 상기 리드프레임 상부의 패턴에 갭 필링 재료를 쌓고 건조하여 갭 필링을 수행하는 단계와; 상기 갭 필링 부분을 패터닝하는 단계와; 상기 리드프레임 하부에 패턴을 형성하는 단계와; 상기 리드프레임 하부에 패턴 형성 후 표면 처리를 수행하는 단계와; 상기 표면 처리 후 반도체 칩을 실장하고 와이어 본딩을 수행하며, EMC 공정으로 몰딩을 수행하는 반도체 패키지를 형성하는 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
4 4
리드프레임 원자재 위에 감광성 물질을 도포하는 단계와; 상기 리드프레임의 상부에 대해 마스크를 이용하여 노광 및 현상을 실시하는 단계와; 상기 리드프레임 상부를 에칭하고 상기 감광성 물질을 박리시키는 단계와; 상기 감광성 물질의 박리 후 상기 리드프레임 상부의 패턴에 갭 필링 재료를 쌓고 건조하여 갭 필링을 수행하는 단계와; 상기 갭 필링 후 노광 및 현상 후 에칭된 부분만 남도록 하여 상기 갭 필링 부분을 패터닝하는 단계와; 상기 리드프레임의 하부에 감광성 물질을 래미네이션하고, 노광 및 현상 후 미세 패턴의 회로를 형성하여 상기 리드프레임 하부에 패턴을 형성하는 단계와; 상기 리드프레임의 상부와 하부에 도금층을 형성하고 하부의 감광성 물질을 박리시키고 표면 처리를 수행하는 단계와; 상기 표면 처리 후 반도체 칩을 실장하고 와이어 본딩을 수행하며, EMC 공정으로 몰딩을 수행하는 반도체 패키지를 형성하는 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
5 5
리드프레임 원자재 위에 감광성 물질을 도포하는 단계와; 상기 리드프레임의 상부에 대해 노광, 현상, 에칭을 실시하는 단계와; 상기 리드프레임 상부의 패턴에 갭 필링 재료를 쌓고 건조하여 갭 필링을 수행하는 단계와; 상기 갭 필링 후 상기 리드프레임을 박리시켜 갭 필링 부분을 패터닝하는 단계와; 상기 리드프레임의 하부에 감광성물질을 도포하는 단계와; 상기 리드프레임의 하부를 노광 및 현상시키는 단계와; 상기 리드프레임의 상부와 하부에 도금층을 형성하고 하부를 박리시키고 표면 처리를 수행하는 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
6 6
리드프레임 원자재 위에 감광성 물질을 도포하는 단계와; 상기 리드프레임의 상부에 대해 노광, 현상, 에칭을 실시하는 단계와; 상기 리드프레임 상부의 패턴에 갭 필링 재료를 쌓고 건조하여 갭 필링을 수행하는 단계와; 상기 갭 필링 후 상기 리드프레임의 상부를 박리시켜 갭 필링 부분을 패터닝하는 단계와; 상기 리드프레임의 하부를 노광 및 현상시키는 단계와; 상기 리드프레임의 상부와 하부에 도금층을 형성하고 하부를 박리시키고 표면 처리를 수행하는 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
7 7
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 갭 필링을 수행하는 단계는, EMC 재료와 동일한 재료로 갭 필링을 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
8 8
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 갭 필링을 수행하는 단계는, 고분자 유기계열을 선택적으로 이용하여 상기 갭 필링을 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
9 9
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 갭 필링을 수행하는 단계는, 연속 코팅 공법을 이용하여 갭 필링율을 조절하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
10 10
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 갭 필링을 수행하는 단계는, 잉크젯 코팅 공법을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
11 11
삭제
12 12
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 갭 필링을 수행하는 단계는, 상기 갭 필링 부분이 주변 부분 보다 높게 돌출되도록 갭 필링을 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
13 13
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 갭 필링 부분을 패터닝하는 단계는, 화학적 에칭 처리, 산화 및 SiO2, Al2O3 과 같은 복합체를 이용한 기계적인 제팅 처리, 플라즈마 처리, 또는 이온 빔 표면처리 중에서 하나 이상의 처리를 수행하여 표면조도 형성을 하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
14 14
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 표면 처리를 수행하는 단계는, 도금을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임 반도체 패키지의 제조방법
15 15
상부 및 하부가 패터닝된 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 상부 패턴 부분에 상기 리드 프레임의 표면 보다 높게 돌출된 구조로 형성된 갭 필링; 상기 갭필링이 형성된 이외의 리드프레임 영역에 형성되는 도금패턴;을 포함하되, 상기 갭필링은 상기 리드프레임의 표면 위로 노출된 부분에 표면처리를 통해 표면조도가 형성되며, 상기 리드프레임 하부에는 상기 갭필링이 형성된 하부까지 백에칭에 의해 에칭된 구조의 패턴이 형성되는 다열형 리드프레임 반도체 패키지
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 표면처리는, 화학적에칭을 통해 표면조도를 형성하거나, 산화(Oxidation) 및 SiO2, Al2O3 과 같은 복합체를 이용한 기계적인 제팅(jetting) 처리, 플라즈마 처리, 또는 이온 빔 표면처리 중에서 하나 이상의 처리를 통해 표면조도가 구현된 다열형 리드프레임 반도체 패키지
17 17
삭제
18 18
청구항 16에 있어서, 상기 갭 필링의 재료는 고분자 유기계열인 다열형 리드프레임 반도체 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.