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리드프레임 소재의 양면 또는 단면에 제1감광성 물질을 도포하고, 노광/현상을 실시하여 다수의 I/O패드 또는 다이패드 형성 패턴을 형성하는 1단계;
상기 I/O 패드 또는 다이패드 형성패턴에 도금층을 형성하고, 제1감광성물질을 박리하는 2단계;
상기 리드프레임 소재의 최외각측면의 도금부를 포함하는 분리예정영역을 제거하여 리드프레임 스트립을 형성하는 패턴 3단계;를 포함하되,
상기 3단계는, 상기 분리예정영역에 노출된 리드프레임 소재를 에칭하여 제거하며, 상기 리드프레임 소재 전체 면에 대한 하프에칭을 수행하여 다수의 I/O패드 또는 다이패드 형성영역 이외의 두께를 낮추는 공정인 리드프레임 스트립의 제조방법
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청구항 1에 있어서,
상기 3단계는,
상기 리드프레임 소재의 하부면 전체에 제2감광성물질을 도포하는 단계;
상기 분리예정영역에 대응되는 영역의 제2감광성물질을 패터닝하여 노출하는 단계;
상기 리드프레임소재의 상부면 및 하부면을 하프에칭하여 상기 분리예정영역을 제거하는 단계;
를 포함하여 구성되는 리드프레임 스트립의 제조 방법
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3
청구항 1에 있어서,
상기 3단계는,
상기 리드프레임 소재의 상부 및 하부면 전체에 제2감광성물질을 도포하는 단계;
상기 분리예정영역에 대응되는 영역의 제2감광성물질을 패터닝하여 노출하는 단계;
상기 노출된 영역을 에칭을 통하여 분리예정영역을 제거하는 단계;
상기 제2감광성물질을 제거하고, 상기 리드프레임 소재의 상부면을 하프에칭하는 단계;
를 포함하여 굿어되는 리드프레임 스트립의 제조방법
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청구항 2 또는 3에 있어서,
상기 2단계는,
상기 리드프레임 소재의 양면 또는 단면에 Au, Ni, Pd, Ag, Cu 중에서 선택된 1원 또는 2원, 3원의 합금을 이용하여 도금층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 리드프레임 스트립의 제조방법
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5
청구항 2에 있어서,
상기 분리예정영역의 제거 후에, 상기 제2감광성물질을 박리한 후, 상기 리드프레임 스트립을 분리하는 공정을 더 포함하는 리드프레임 스트립의 제조방법
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6
청구항 3에 있어서,
상기 3단계 이후에,
상기 리드프레임 스트립을 분리하는 공정을 더 포함하는 리드프레임 스트립의 제조방법
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7
삭제
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8
리드프레임 소재의 양면 또는 단면에 제1감광성 물질을 도포하고, 노광/현상을 실시하여 다수의 I/O패드 또는 다이패드 형성 패턴을 형성하는 1단계;
상기 I/O 패드 또는 다이패드 형성패턴에 도금층을 형성하고, 제1감광성물질을 박리하는 2단계;
상기 리드프레임 소재의 최외각측면 도금부를 포함하는 분리예정영역을 제거하여 리드프레임 스트립을 형성하는 패턴 3단계;
반도체 칩의 실장, 와이어본딩 및 몰딩하는 4단계;를 포함하되,
상기 3단계는, 상기 분리예정영역에 노출된 리드프레임 소재를 에칭하여 제거하며, 상기 리드프레임 소재 전체 면에 대한 하프에칭을 수행하여 다수의 I/O패드 또는 다이패드 형성영역 이외의 두께를 낮추는 공정인 리드프레임 스트립의 제조방법
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청구항 8에 있어서,
상기 3단계는,
상기 리드프레임 소재의 하부면 전체에 제2감광성물질을 도포하는 단계;
상기 분리예정영역에 대응되는 영역의 제2감광성물질을 패터닝하여 노출하는 단계;
상기 리드프레임소재의 상부면 및 하부면을 하프에칭하여 상기 분리예정영역을 제거하는 단계;
를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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10
청구항 8에 있어서,
상기 3단계는,
상기 리드프레임 소재의 상부 및 하부면 전체에 제2감광성물질을 도포하는 단계;
상기 분리예정영역에 대응되는 영역의 제2감광성물질을 패터닝하여 노출하는 단계;
상기 노출된 영역을 에칭을 통하여 분리예정영역을 제거하는 단계;
상기 제2감광성물질을 제거하고, 상기 리드프레임 소재의 상부면을 하프에칭하는 단계;
를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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11
청구항 9 또는 10에 있어서,
상기 2단계는,
상기 리드프레임 소재의 양면 또는 단면에 Au, Ni, Pd, Ag, Cu 중에서 선택된 1원 또는 2원, 3원의 합금을 이용하여 도금층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 리드프레임 스트립의 제조방법
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12
청구항 9에 있어서,
상기 제2감광성물질을 박리한 후, 상기 리드프레임 스트립을 분리하는 공정을 더 포함하는 리드프레임 스트립의 제조방법
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13
청구항 10에 있어서,
상기 3단계 이후에,
상기 리드프레임 스트립을 분리하는 공정을 더 포함하는 리드프레임 스트립의 제조방법
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14
삭제
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15
청구항 8에 있어서,
상기 4단계 이후에 상기 반도체 패키지의 하부에 Au, Ni, Pd, Ag, Cu 중에서 선택된 1원 또는 2원, 3원의 합금을 이용하여 도금하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
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16
청구항 15에 있어서,
상기 4단계 이후에,
반도체 패키지의 하면 전체를 백에칭하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
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17
다수의 리드프레임이 형성된 리드프레임 스트립에 있어서,
상부 또는 하부에 와이어 본딩 또는 칩 실장을 위한 도금패턴이 형성되며,
도금패턴이 형성된 부분의 상기 리드프레임의 두께보다 작은 두께의 영역을 적어도 하나 이상 포함하는 리드프레임 스트립
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18
청구항 17에 있어서,
상기 리드프레임 스트립의 측면부에는 도금층이 없는 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 리드프레임 스트립
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19
상부 또는 하부에 와이어 본딩 또는 칩 실장을 위한 도금층이 형성되며, 측면부에는 도금층이 없는 구조의 리드프레임 스트립을 구성하는 리드프레임에 있어서,
상기 리드프레임은 와이어 본딩이 이루어 지는 I/O패드와 칩이 실장되는 다이패드를 가지고,
I/O패드와 다이패드의 두께 보다 작은 두께의 영역을 적어도 하나 이상 포함 하는 것을 특징으로 하는 리드프레임
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