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저온소성용 금속 나노입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015054379
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요약 본 발명은 a) 양친매성 제 1유기 리간드 전구체와 금속염을 유기 용매 하에 혼합하여 유기 리간드-금속 착물을 형성하는 제1단계; b) 상기 유기 리간드-금속 착물을 환원시켜 유기 리간드가 표면에 배위결합한 금속 나노 입자를 형성하는 제2단계; 및 c) 상기 제 1유기 리간드 전구체보다 끓는점이 낮은 양친매성 제 2유기 리간드 전구체와 상기 금속 나노입자를 반응시켜 금속 나노입자 표면에 결합한 제 1유기 리간드의 전부 또는 일부를 제 2유기 리간드로 치환하는 제 3단계를 포함하여 금속 나노 입자를 제조하는 방법, 상기 방법에 의하여 제조된 금속 나노입자 및 상기 금속 나노입자를 포함하는 저온소성용 페이스트를 제공한다. 본 발명에 의하면, 간단한 치환반응을 통하여 20 nm이하의 평균입경을 가지면서 동시에 낮은 끓는점의 계면활성제를 표면에 부착한 초미립 금속 나노입자를 제조할 수 있으며, 이러한 나노입자를 이용하여 저온소성용 도전성 페이스트를 제조하는 경우, 180℃ 이하에서의 열처리에 의해서도 10-6 Ωcm 이하의 비저항을 갖는 도전성 박막을 제조할 수 있다.금속 나노입자, 유기 리간드, 저온소성용 페이스트
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01)
출원번호/일자 1020080085713 (2008.09.01)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1285453-0000 (2013.07.05)
공개번호/일자 10-2010-0026636 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허수연 대한민국 대전광역시 서구
2 이종택 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기효 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, ***호(역삼동)(특허법인 강인)
2 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0620478-54
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0614094-98
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.05.06 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0338035-42
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2011.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0040155-50
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0349531-34
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2011.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0055984-23
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0485722-96
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0860314-76
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0860313-20
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0145803-45
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.04.04 수리 (Accepted) 7-1-2013-0013376-82
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.05.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2013-0021400-23
13 심사전치에 관한 심판서류철의 이송
Transfer of Trial File for Re-examination
2013.06.04 수리 (Accepted) 7-8-2013-0016905-68
14 등록결정서
Decision to grant
2013.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0438621-26
15 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0758157-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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a) 양친매성 제 1유기 리간드 전구체와 금속염을 유기 용매 하에 혼합하여 제 1유기 리간드-금속 착물을 형성하는 제1단계; b) 상기 제 1유기 리간드-금속 착물을 환원시켜 제 1유기 리간드가 표면에 배위결합한 금속 나노 입자를 형성하는 제2단계; 및c) 상기 제 1유기 리간드 전구체보다 끓는점이 낮은 양친매성 제 2유기 리간드 전구체와 상기 금속 나노입자를 반응시켜 금속 나노입자 표면에 결합한 제 1유기 리간드의 전부 또는 일부를 제 2유기 리간드로 치환하는 제 3단계를 포함하고,상기 제 1유기 리간드 전구체는 끓는점이 180℃ 이상이며, 상기 제 2유기 리간드 전구체는 끓는점이 180℃미만인 것이며,상기 제 1유기 리간드 전구체는 도데실아민, 노닐아민, 데실아민, 언데실아민, 트리데실아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민, 헥사데실아민, 헵타데실아민 및 옥타데실아민 중 어느 하나의 기를 가지고,상기 제 2유기 리간드 전구체는 헥실아민, 메틸아민, 에틸아민 및 프로필아민 중 어느 하나의 기를 가지는 것인 금속 나노 입자의 제조방법
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삭제
3 3
삭제
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제 1항에 있어서, 상기 금속염은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 아연(Zn), 니켈(Ni), 철(Fe), 백금(Pt), 납(Pb), 게르마늄(Ge), 규소(Si) 및 코발트(Co)로 구성된 군에서 선택된 금속 양이온과; 할라이드(halide), 질산(nitrate), 아질산(nitrite), 인산(phosphate), 아세테이트(acetate), 하이드록사이드(hydroxide), 실리케이트(silicate), 카보네이트(carbonate), 아황산(sulfite) 및 황산(sulfate)으로 이루어진 군에서 선택된 음이온의 조합으로 이루어진 것이 특징인 제조방법
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제 1항 및 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 금속 나노입자를 포함하는 저온소성용 도전성 페이스트
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제 5항에 있어서, 180℃ 이하의 온도에서 열처리하여 도전막 형성시 10-6 Ωcm 이하의 비저항을 갖는 것이 특징인 저온소성용 도전성 페이스트
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직경이 1 ~ 20 nm 범위이고, 끓는점 180℃ 미만의 양친매성 유기리간드가 표면에 전부 또는 일부 결합되며,상기 양친매성 유기 리간드는 헥실아민, 메틸아민, 에틸아민 및 프로필아민 중 어느 하나의 기를 가지는 것인 금속 나노입자
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제 1항 및 제4항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되고,직경이 1 ~ 20 nm 범위이고, 끓는점 180℃ 미만의 양친매성 유기리간드가 표면에 전부 또는 일부 결합되며,상기 양친매성 유기 리간드는 헥실아민, 메틸아민, 에틸아민 및 프로필아민 중 어느 하나의 기를 가지는 것인 금속 나노입자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.