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연마재; 산화제; 착물 형성제; 테트라메틸암모늄 이온계 이온첨가제; 부식억제제; pH 조절제 및 탈이온수를 포함하며, 상기 착물 형성제는 글리신 및 그의 염이고, 상기 테트라메틸암모늄 이온계 이온첨가제는 테트라메틸암모늄 브로마이드, 테트라메틸암모늄 플로라이드, 테트라메틸암모늄 클로라이드, 테트라메틸암모늄 아이오다이드, 테트라메틸암모늄 아세테이트, 테트라메틸암모늄 나이트레이트, 테트라메틸암모늄 설페이트 및 테트라메틸암모늄 하이드록시드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이며, 상기 부식억제제는 퀴날드산 및 그의 염인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 연마재는 금속산화물, 유기입자, 및 유기-무기 복합입자로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 연마재는 콜로이달 실리카인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제4항에 있어서, 상기 금속산화물은 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2), 지르코니아(ZrO2), 티타니아(산화티탄) 및 제올라이트로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제4항에 있어서, 상기 유기입자는 (ⅰ)폴리스티렌, 스티렌계 공중합체, 폴리(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴레이트계 공중합체, 폴리염화비닐, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드로 구성된 군에서 선택되거나, (ⅱ)상기 (ⅰ)군에서 선택된 1종 이상의 고분자가 코어, 쉘, 또는 둘다를 구성하는 코어/쉘 구조의 입자인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 산화제는 과산화수소, 암모늄 퍼설페이트 (APS), 포타슘 퍼설페이트(KPS), 차아염소산(HOCl), 중크롬산칼륨, 과망간산칼륨, 질산철, 포타슘 페리시아나이드, 과요오드산 칼륨, 차아염소산 나트륨(NaOCl), 삼산화바나듐, 포타슘 브로메이트(KBrO3), 과아세트산, 과벤조산 및 tert-부틸하이트로퍼옥사이드로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 착물 형성제는 아미노산 계열 화합물, 아민 계열 화합물, 및 카르복실산 계열 화합물로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 고분자 첨가제를 더 포함하는 것이 특징인 CMP 슬러리
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제11항에 있어서, 상기 고분자 첨가제는 폴리아크릴산(PAA), 아크릴산-말레산 공중합체(PAA-Ma), 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리프로필렌옥시드(PPO) 및 프로필렌옥시드-에틸렌옥시드 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 연마재 0
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제11항에 있어서, 상기 연마재 0
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제1항에 있어서, 상기 CMP 슬러리의 pH는 7 내지 11 범위인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 CMP 슬러리는 구리 배선 연마용 슬러리인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항, 제4항 내지 제9항, 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항의 CMP 슬러리를 사용하여 금속막, 산화막, 절연막, 또는 금속 배선을 평탄화하는 것이 특징인 화학기계연마(CMP) 방법
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