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태양전지 제조장치 및 태앙전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015054450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 제조장치 및 태앙전지 제조방법이 개시된다. 본 태양전지 제조장치는 고주파(RF:Radio Frequency) 전원과 연결되는 제1 전극, 접지와 연결되는 제2 전극, 및 제1 전극 및 제2 전극 사이의 공간으로서, 플라즈마를 함유하는 챔버(chamber)를 포함하며, 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나의 전극에 형성된 노즐에서 초음속(supersonic speed)으로 분사되는 기체에 의하여 기판에 막을 형성시킨다. 태양전지, 고주파, 플라즈마, 초음속
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C23C 16/5096(2013.01) C23C 16/5096(2013.01) C23C 16/5096(2013.01) C23C 16/5096(2013.01) C23C 16/5096(2013.01)
출원번호/일자 1020080085190 (2008.08.29)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0974219-0000 (2010.07.30)
공개번호/일자 10-2010-0026257 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20100806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승윤 대한민국 서울특별시 서초구
2 이헌민 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0617891-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0283968-12
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 취하 (Withdrawal) 1-1-2010-0284345-56
6 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0290640-17
7 [우선심사신청 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Request for Accelerated Examination] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0301123-72
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0300415-20
9 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0030144-05
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0223259-11
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0389733-42
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0389732-07
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0312183-05
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고주파(RF:Radio Frequency) 전원과 연결되는 제1 전극; 접지와 연결되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 하나의 전극에 형성되어 플라즈마를 함유하는 복수 개의 챔버(chamber); 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나의 전극에 형성되어 외부로부터 유입된 기체를 초음속(supersonic speed)으로 분사하여 기판에 막을 형성시키는 노즐;을 포함하되, 상기 복수 개의 챔버 각각은 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극 중 어느 하나의 전극에 원통형 빈 공간 형태인 공동(Hollow) 형상으로 형성되어, 상기 공동 형상 내부에서 상기 플라즈마를 함유하며, 상기 노즐은 상기 복수 개의 챔버 각각에 상기 기판 방향으로 배치되어 상기 기체를 초음속(supersonic speed)으로 분사하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판에 형성되는 막은 플라즈마 화학기상증착(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방식에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기체는 SiH3 인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 공동 형상을 지닌 복수 개의 챔버가 상기 제 2 전극에 형성되고, 상기 기판이 상기 제 2 전극의 하부에 배치된 경우, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 고주파(RF:Radio Frequency) 전력이 인가되고, 상기 제2 전극과 상기 기판 사이에 고주파(RF:Radio Frequency) 전력이 인가되지 않는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
5 5
삭제
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 공동 형상을 지닌 복수 개의 챔버 및 상기 복수 개의 챔버 각각에 형성된 노즐은 상기 제2 전극에 일정한 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 공동 형상을 지닌 복수 개의 챔버가 상기 제 1 전극에 형성되고, 상기 기판이 상기 제 2 전극의 상부에 배치된 경우, 상기 제 1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 고주파(RF:Radio Frequency) 전력이 인가되고, 상기 제 1 전극과 상기 기판 사이에 고주파(RF:Radio Frequency) 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 공동 형상을 지닌 복수 개의 챔버 및 상기 복수 개의 챔버 각각에 형성된 노즐은 상기 제1 전극에 일정한 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 노즐은 압축노즐(confuser nozzle) 및 확산노즐(diffuser nozzle)을 포함하며, 상기 압축 노즐의 입구에서 노즐 목(throat)까지 단면적이 감소하고, 상기 노즐 목(throat)에서 상기 확산 노즐의 출구까지 단면적이 증가하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제 14 항에 있어서, 상기 복수 개의 챔버 각각에 포함되는 상기 공동 형상의 단면 지름은 상기 압축노즐 및 상기 확산노즐의 다면 지름보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
19 19
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 복수 개의 챔버 외부에 위치하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.