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리드프레임에 감광성물질을 도포 후 일정한 두께(Rt)를 구비하는 패턴을 형성하는 제1단계;
상기 패턴을 마스크로 하여 상기 리드프레임에 일정깊이(Et)를 가지는 오목패턴을 1차 에칭으로 형성하는 제2단계;
상기 감광성물질로 구현된 패턴 박리 후, 상기 1차 에칭된 리드프레임에 일부가 매립되는 도금패턴을 형성하되,
상기 도금패턴의 두께는 박리된 상기 감광성물질로 구현된 패턴이 구비했던 두께(Rt)와 1차 에칭된 리드프레임상의 패턴의 두께(Et)의 합 이하로 형성하는 제3단계;
상기 도금패턴을 마스크로 상기 도금패턴 사이에 노출된 상기 리드프레임 부분을 하프에칭하여 상기 도금패턴 하부면 이하의 깊이로 2차 에칭을 수행하는 4단계;를 포함하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임의 제조방법
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청구항 1에 있어서,
상기 제1단계는,
상기 리드프레임에 액상의 감광성 물질을 도포하여 노광 및 현상을 통해 패턴을 형성하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임의 제조방법
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청구항 2에 있어서,
상기 4단계는,
상기 도금패턴이 매립된 부분의 두께 이하로 상기 도금패턴 사이에 노출된 상기 리드프레임 부분을 리드프레임의 깊이 방향으로 에칭하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임의 제조방법
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청구항 4에 있어서,
상기 3단계는 상기 리드프레임 소재의 양면 또는 단면에 Cu, Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co, P 중에서 선택된 1원 또는 2원, 3원의 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 도금층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임의 제조방법
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청구항 4에 있어서,
상기 4단계 이후에,
반도체 칩을 실장하고, 와이어본딩, 에폭시 몰딩을 수행하고, 백에칭을 통해 반도체 패키지를 완성하는 제5단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임의 제조방법
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9
청구항 1, 2, 4, 6, 8 중 어느 하나의 항에 의한 다열 리드리스 프레임의 제조방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임
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10
리드프레임 원소재의 상면 또는 하면에 상기 리드프레임 표면으로 돌출되는 구조로 형성되는 도금패턴;
상기 도금패턴이 형성되지 않는 영역의 상기 리드프레임 소재의 표면에 상기 도금패턴 하부면 이하의 깊이로 구현되는 오목한 구조의 미세패턴;을 포함하되,
상기 리드프레임의 두께는 1mil ~ 5mil 로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임
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11
청구항 10에 있어서,
상기 도금패턴은 상기 리드프레임 소재의 양면 또는 단면에 Cu, Ni, Pd,Au,Sn,Ag,Co,P 중에서 선택된 1원 또는 2원, 3원의 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임
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12
리드프레임 원소재의 상면 또는 하면에 상기 리드프레임 표면으로 돌출되는 구조로 형성되는 도금패턴;
상기 도금패턴이 형성되지 않는 영역의 상기 리드프레임 소재의 표면에 상기 도금패턴 하부면 이하의 깊이로 구현되는 오목한 구조의 미세패턴;을 포함하되,
상기 리드프레임의 두께는 1mil ~ 5mil 로 형성되는 리드 프레임을 구성하되,
상기 리드프레임에 반도체 칩을 실장하고, 와이어본딩, 에폭시 몰딩을 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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