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1
리드프레임의 단면 또는 양면 상에 도금패턴을 형성하고, 상기 도금패턴을 에칭마스크로 1차 에칭하는 제1 단계와;
상기 1차에칭으로 구현된 에칭패턴에 감광성물질을 충진하고, 충진된 영역을 포토리소그라피로 선택적패터닝 후 완전경화를 통해 에칭방지막을 형성하는 제2 단계와;
상기 도금패턴과 에칭방지막을 에칭마스크로 2차 에칭을 수행하는 제 3 단계;
를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임의 제조방법
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2
청구항 1에 있어서,
상기 제2단계는,
상기 에칭패턴에 충진된 감광성물질을 반건조 시키는 단계;
포토마스크를 이용하여 상기 감광성 물질을 선택적으로 노광시켜 에칭 방지막으로 형성한 후 현상에 의해 완전 경화시키는 단계;
를 포함하여 구성되는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임의 제조방법
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3
청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 에칭방지막의 형성은,
상기 도금패턴의 말단부 이상으로 에칭방지막이 말단부가 돌출되도록 구현되는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임의 제조방법
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4
리드프레임의 단면 또는 양면 상에 도금패턴을 형성하고, 상기 도금패턴을 에칭마스크로 1차 에칭하는 제1 단계와;
상기 1차에칭으로 구현된 에칭패턴에 감광성물질을 충진하고, 충진된 영역을 포토리소그라피로 선택적패터닝 후 완전경화를 통해 에칭방지막을 형성하는 제2 단계와;
상기 도금패턴과 에칭방지막을 에칭마스크로 2차 에칭을 수행하는 제 3 단계;
상기 제 3 단계 후 반도체 칩 실장, 와이어 본딩, 에폭시 몰딩을 수행하고, 백에칭을 통해 반도체 패키지를 완성하는 제 4 단계;
를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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5
리드프레임과;
상기 리드프레임에 형성되는 다수의 도금패턴과;
상기 리드프레임과 상기 도금패턴 사이에 형성되는 에칭패턴;
상기 에칭패턴의 양단인 언더컷 부분에 채워져 에칭 방지막으로 되는 감광성 물질;
상기 에칭방지막의 말단부는 상기 도금패턴의 말단부 이상으로 돌출되는 구조로 형성되는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임
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6
삭제
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7
청구항 5에 있어서,
상기 에칭 방지막은,
상기 리드프레임의 상부측면과 하부측면 중에서 양면 또는 한면에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임
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8
청구항 5 또는 청구항 7에 있어서,
상기 에칭 방지막은,
상기 리드프레임의 상부의 언더컷 부분의 길이가 하부의 언더컷 부분의 길이보다 짧거나 같도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임
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9
청구항 5에 있어서,
상기 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임은,상기 리드프레임의 하부의 폭과 하부 에칭 방지막의 길이를 동일하게 형성하여 하부 언더컷을 제거하는 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 다열형 리드리스 프레임
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