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반도체 패키지용 다열 리드리스 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015054846
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다열 리드리스 프레임의 제조방법과 이를 이용한 반도체 패키지에 관한 것으로, 구체적으로는 리드프레임 원소재에 감광성물질을 이용하여 패턴을 형성하는 1단계와 상기 패턴상에 도금층을 형성하는 2단계로 이루어지는 다열 리드리스 프레임의 제조방법을 제공하며, 상기 1단계에서 사용되는 감광성 물질을 특히 감광성 에폭시 또는 포토솔더레지스트(Photo solder resist;PSR) 또는 저유전재료를 사용하여 제조공정을 획기적으로 단축시키며, 제조비용 및 택타임을 현저하게 줄일 수 있도록 한다. 다열 리드리스 프레임, 감광성 에폭시, 포토솔더레지스트(Photo solder resist;PSR), 저유전재료
Int. CL H01L 23/50 (2006.01) H01L 23/495 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080093147 (2008.09.23)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1040136-0000 (2011.06.02)
공개번호/일자 10-2010-0034157 (2010.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류성욱 대한민국 서울특별시 서초구
2 이성원 대한민국 서울특별시 서초구
3 김지윤 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 이혁수 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이엘에스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0667356-27
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0696558-57
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0272778-22
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0558839-03
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0558851-41
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0548001-27
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.01.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0004149-44
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0114255-39
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0324528-77
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0324565-56
12 등록결정서
Decision to grant
2011.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0260213-68
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리드프레임 원소재의 평평(flat)한 표면 상에 감광성물질을 이용하여 다열리드리스 프레임의 구성요소가 될 감광성 패턴을 형성하는 1단계; 및 상기 감광성 패턴이 형성된 이외의 영역의 노출된 상기 리드프레임 원소재 평평(flat)한 표면 상에 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴이 되는 도금층을 형성하는 2단계;를 포함하여, 상기 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴의 사이에 절연성을 가지는 상기 감광성 패턴이 삽입된 구조의 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴을 형성하는 다열 리드리스 프레임의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 1단계의 감광성 패턴의 형성은 감광성 에폭시 또는 포토솔더레지스트(Photo solder resist;PSR)를 이용하여, 노광 및 현상을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 1단계의 감광성 패턴의 형성은 감광성 에폭시 또는 포토솔더레지스트(Photo solder resist;PSR)를 이용하여, 스크린 프링팅을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 2단계는 상기 도금층은 Cu, Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co 중 어느 하나 또는 이들의 이원, 삼원 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임의 제조방법
5 5
리드프레임 원소재의 평평(flat)한 표면 상에 감광성물질을 이용하여 감광성 패턴을 형성하는 1단계; 상기 감광성 패턴이 형성된 이외의 영역에 노출된 상기 리드프레임 원소재의 평평(flat)한 표면 상에 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴이 되는 도금층을 형성하는 2단계; 상기 도금층 상에 반도체 칩을 실장, 와이어 본딩, 에폭시몰딩을 수행하는 3단계; 다열리드리스 프레임의 하면을 벡에칭하여 상기 리드프레임 원소재를 제거하는 4단계;를 포함하여, 상기 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴의 사이에 절연성을 가지는 상기 감광성 패턴이 삽입된 구조의 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴을 형성하는 다열 리드리스 프레임을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
6 6
평평(flat)한 표면을 가지는 리드프레임 원소재; 상기 리드프레임 원소재의 평평(flat)한 표면 상에 직접 형성되는 반도체 칩이 실장되는 제1영역인 다이패드 패턴 및 와이어본딩되는 제2영역인 다수의 접합패드 패턴; 상기 다이패드 패턴 및 다수의 접합패드 패턴 사이에 절연성을 가지는 감광성패턴이 삽입되어 충진되며, 상기 제1영역, 제2영역, 감광성 물질의 하면은 서로 평행하고 동일 수평선상에 형성되는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 감광성 물질은 감광성 에폭시 또는 포토솔더레지스(Photo solder resist;PSR)인 것을 특징으로 하는 다열리드리스 프레임
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 감광성 물질은 유전율이 0
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 감광성 물질은 저유전 물질로서 실리카 에어로젤, 수소실세스퀴옥산(HSSQ; hydro silsesquioxane), 메틸실세스퀴옥산 (MSSQ; Methyksilsesquioxane) 중에서 적어도 하나 이상을 포함하는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임
10 10
반도체 칩이 실장되는 제1영역인 다이패드 패턴 및 와이어본딩되는 제2영역인 다수의 접합패드 패턴; 상기 다이패드 패턴 및 다수의 접합패드 패턴 사이에 절연성을 가지는 감광성패턴;이 삽입되어 충진되며, 상기 반도체 칩 및 와이어를 몰딩시키는 에폭시몰딩부;를 포함하되, 상기 제1영역, 제2영역, 감광성 물질의 하면은 서로 평행하고 동일 수평선 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.