1 |
1
리드프레임 원소재의 평평(flat)한 표면 상에 감광성물질을 이용하여 다열리드리스 프레임의 구성요소가 될 감광성 패턴을 형성하는 1단계; 및
상기 감광성 패턴이 형성된 이외의 영역의 노출된 상기 리드프레임 원소재 평평(flat)한 표면 상에 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴이 되는 도금층을 형성하는 2단계;를 포함하여,
상기 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴의 사이에 절연성을 가지는 상기 감광성 패턴이 삽입된 구조의 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴을 형성하는 다열 리드리스 프레임의 제조방법
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,
상기 1단계의 감광성 패턴의 형성은 감광성 에폭시 또는 포토솔더레지스트(Photo solder resist;PSR)를 이용하여, 노광 및 현상을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임의 제조방법
|
3 |
3
청구항 1에 있어서,
상기 1단계의 감광성 패턴의 형성은 감광성 에폭시 또는 포토솔더레지스트(Photo solder resist;PSR)를 이용하여, 스크린 프링팅을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임의 제조방법
|
4 |
4
청구항 1에 있어서,
상기 2단계는 상기 도금층은 Cu, Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co 중 어느 하나 또는 이들의 이원, 삼원 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임의 제조방법
|
5 |
5
리드프레임 원소재의 평평(flat)한 표면 상에 감광성물질을 이용하여 감광성 패턴을 형성하는 1단계;
상기 감광성 패턴이 형성된 이외의 영역에 노출된 상기 리드프레임 원소재의 평평(flat)한 표면 상에 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴이 되는 도금층을 형성하는 2단계;
상기 도금층 상에 반도체 칩을 실장, 와이어 본딩, 에폭시몰딩을 수행하는 3단계;
다열리드리스 프레임의 하면을 벡에칭하여 상기 리드프레임 원소재를 제거하는 4단계;를 포함하여,
상기 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴의 사이에 절연성을 가지는 상기 감광성 패턴이 삽입된 구조의 다이패드 패턴 및 접합패드 패턴을 형성하는 다열 리드리스 프레임을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
|
6 |
6
평평(flat)한 표면을 가지는 리드프레임 원소재;
상기 리드프레임 원소재의 평평(flat)한 표면 상에 직접 형성되는 반도체 칩이 실장되는 제1영역인 다이패드 패턴 및 와이어본딩되는 제2영역인 다수의 접합패드 패턴;
상기 다이패드 패턴 및 다수의 접합패드 패턴 사이에 절연성을 가지는 감광성패턴이 삽입되어 충진되며,
상기 제1영역, 제2영역, 감광성 물질의 하면은 서로 평행하고 동일 수평선상에 형성되는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임
|
7 |
7
청구항 6에 있어서,
상기 감광성 물질은 감광성 에폭시 또는 포토솔더레지스(Photo solder resist;PSR)인 것을 특징으로 하는 다열리드리스 프레임
|
8 |
8
청구항 7에 있어서,
상기 감광성 물질은 유전율이 0
|
9 |
9
청구항 6에 있어서,
상기 감광성 물질은 저유전 물질로서 실리카 에어로젤, 수소실세스퀴옥산(HSSQ; hydro silsesquioxane), 메틸실세스퀴옥산 (MSSQ; Methyksilsesquioxane) 중에서 적어도 하나 이상을 포함하는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 다열 리드리스 프레임
|
10 |
10
반도체 칩이 실장되는 제1영역인 다이패드 패턴 및 와이어본딩되는 제2영역인 다수의 접합패드 패턴;
상기 다이패드 패턴 및 다수의 접합패드 패턴 사이에 절연성을 가지는 감광성패턴;이 삽입되어 충진되며,
상기 반도체 칩 및 와이어를 몰딩시키는 에폭시몰딩부;를 포함하되,
상기 제1영역, 제2영역, 감광성 물질의 하면은 서로 평행하고 동일 수평선 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지
|