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다열 리드프레임 및 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015054878
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다열 리드프레임 및 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 금속소재에 1차 패턴을 형성시키는 제 1 단계와; 상기 1차 패턴 형성 후 표면 도금 처리 또는 유기물 코팅을 수행하는 제 2 단계와; 상기 금속소재에 2차 패턴을 형성시키는 제 3 단계와; 상기 2차 패턴 형성 후 반도체 칩을 패키징하는 제 4 단계;를 포함하여 구성함으로서, 단계적인 에칭을 적용하여 언더컷 현상이 최소화되도록 할 수 있게 되는 것이다. 다열 리드, 리드프레임, 반도체 칩 패키지, 갭 필링, 패턴
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/495 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080094042 (2008.09.25)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1036354-0000 (2011.05.16)
공개번호/일자 10-2010-0034846 (2010.04.02) 문서열기
공고번호/일자 (20110523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지윤 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신현섭 대한민국 대구광역시 달성군 옥포면

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이엘에스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0673738-51
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0571777-07
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0069264-93
4 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0069455-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0312274-51
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0496911-50
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0529310-94
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0606715-11
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0684130-18
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0684123-09
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0099858-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속소재에 1차 패턴을 형성시키는 제 1 단계와; 상기 1차 패턴 형성 후 표면 도금 처리 또는 유기물 코팅을 수행하는 제 2 단계와; 상기 금속소재에 2차 패턴을 형성시키는 제 3 단계와; 상기 2차 패턴 형성 후 반도체 칩을 패키징하는 제 4 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 단계는, 상기 금속소재에 감광성 물질을 도포하고, 노광/현상/에칭을 수행하여 상기 1차 패턴을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제 2 단계는, 제 2 감광성 물질을 도포하고, 노광/현상을 수행한 후 표면 도금 처리 또는 유기물 코팅을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지의 제조방법
4 4
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 제 1 단계의 상기 감광성 물질 또는 상기 제 2 단계의 제 2 감광성 물질은, 필름상 또는 액상의 감광성 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 제 3 단계는, 상기 1차 패턴이 형성된 상태에서 도금 또는 유기물 코팅층을 마스크로 에칭을 실시하여 상기 2차 패턴을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 단계의 1차 패턴 형성 또는 상기 제 3 단계의 2차 패턴 형성은, 언더컷의 길이가 에칭된 깊이 보다 작도록 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 반도체 칩 패키지의 제조방법은, 상기 제 4 단계 후 백에칭을 수행하는 제 5 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지의 제조방법
8 8
금속소재 위에 감광성 물질을 1차 도포시키고, 노광, 현상 후 1차 에칭 진행 후 상기 감광성 물질을 제거하여 상기 금속소재에 1차 패턴을 형성시키는 제 11 단계와; 제 2 감광성 물질을 도포시키고, 노광/현상 후 표면 도금 처리 또는 유기물 코팅 수행 후 제 2 감광성 물질을 제거한 후 2차 에칭을 실시하는 제 12 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열 리드프레임의 제조방법
9 9
금속소재 상의 다이패드부 또는 내부 I/O부가 형성될 부분에 전해 또는 무전해 도금으로 형성된 에칭레지스트층; 상기 금속소재에 구현되며 상기 에칭레지스트층의 하면 일부에 일정 길이의 언더컷이 형성되는 구조의 에칭패턴;을 구비하되, 상기 언더컷의 길이(W1)는 에칭패턴의 깊이(W2) 보다 작게 형성되며, 상기 언더컷 부분에는 충진물질이 없으며, 상기 에칭패턴의 중심부로부터 외각부로 돌출부가 없는 구조로 형성되는 다열리드프레임
10 10
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102224586 CN 중국 FAMILY
2 JP05443497 JP 일본 FAMILY
3 JP24503877 JP 일본 FAMILY
4 KR101041004 KR 대한민국 FAMILY
5 KR101139971 KR 대한민국 FAMILY
6 TW201021119 TW 대만 FAMILY
7 US08659131 US 미국 FAMILY
8 US20110227208 US 미국 FAMILY
9 WO2010036051 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
10 WO2010036051 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102224586 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102224586 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2012503877 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5443497 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 TW201021119 TW 대만 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.