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리드프레임 및 반도체 패키지 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015054886
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  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리드프레임 및 반도체 패키지 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 반도체 칩이 실장되는 제 1 영역과; 와이어 본딩이 되는 다수의 제 2 영역;을 구비하고, 상기 제 1 영역 또는 상기 제 2 영역의 상부 또는 하부와 측면부에 도금 또는 유기 코팅이 형성되도록 한 것으로서, 선택적인 에칭을 통해 회로를 구현하고 고분자 물질의 충진을 통해 회로의 상부 및 측면까지 도금되는 구조를 형성하여 치수 안정성과 신뢰성을 향상시킬 수 있게 되는 것이다. 반도체 패키지, 다열 리드, 리드프레임, 갭 필링, 도금, 코팅
Int. CL H01L 23/48 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080098787 (2008.10.08)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1047874-0000 (2011.07.04)
공개번호/일자 10-2010-0039711 (2010.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.08)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지윤 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이엘에스 경기도 안산시 단원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0702974-90
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0698962-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.08.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0052549-97
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0376604-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0684100-59
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0684107-78
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0041130-41
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0184158-36
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0184145-43
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0341424-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리드프레임 원소재의 단면 또는 양면에 형성되는 다이패드패턴인 제1영역과 와이어 본딩이 되는 다수의 I/O패턴인 제2영역; 상기 다이패드패턴 및 IO패드 패턴은 리드프레임 원소재의 오목한 에칭패턴으로 구분되며, 상기 다이패드패턴 및 IO패드 패턴의 상부면 및 측면부를 둘러싸는 구조로 도금 또는 유기코팅이 형성되되, 상기 측면부의 도금 또는 유기코팅은 상기 에칭패턴의 깊이보다 작은 길이로 구현되는 리드프레임
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 도금 또는 유기 코팅 물질은, Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co, Cu 중에서 단일 성분 또는 2원이나 3원의 합금층을 사용하고, 단층 혹은 복층으로 형성된 물질인 것을 특징으로 하는 리드프레임
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이 또는 상기 제 2 영역들 사이의 에칭패턴에는 갭 필링(Gap filling) 물질이 충진되는 것을 특징으로 하는 리드프레임
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 갭 필링 물질은, 에폭시 또는 아크릴 레이트를 주재로 하는 물질을 포함한 감광성 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 리드프레임
5 5
리드프레임 원소재에 에칭패턴을 구현하여 다이패드패턴 및 IO패드 패턴을 형성하는 제 1 단계와; 상기 에칭패턴에 갭필링 물질을 충진하는 제 2 단계와; 상기 다이패드패턴 및 IO패드 패턴의 상부면 및 측면부를 둘러싸는 구조로 도금 또는 유기코팅이 형성되되, 상기 측면부의 도금 또는 유기코팅은 상기 에칭패턴의 깊이보다 작은 길이로 구현하는 제 3 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 제 1 단계는, 상기 리드프레임 원소재의 양면 또는 단면에 감광성물질을 도포하고, 노광 현상, 에칭을 실시하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 제 2 단계는, 에폭시 또는 아크릴 레이트를 주재로 하는 물질을 포함한 감광성 고분자 물질을 도포하고 경화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
8 8
청구항 5에 있어서, 상기 제 2 단계는, 충진되는 부분의 높이를 충진 양과 경과 조건을 조절하여 단차를 두고 충진 시키는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
9 9
청구항 5에 있어서, 상기 제 2 단계는, 갭필링 물질을 양면 또는 단면에 도포하고, 노광/현상을 통해 충진되는 부분의 폭을 조정하여 충진 시키는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
10 10
청구항 5에 있어서, 상기 제 3 단계는, 도금재로 Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co, Cu 중에서 단일 성분 또는 2원이나 3원의 합금층을 사용하고, 단층 혹은 복층으로 도금되도록 하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
11 11
청구항 5에 있어서, 상기 리드프레임의 제조방법은, 상기 제 3 단계 후 갭필링 재료를 제거하는 제 4 단계; 를 더욱 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 리드프레임의 제조방법은, 상기 제 3 단계 직후 또는 상기 제 4 단계 직후 하부에서 에칭하는 하부에칭단계; 를 더욱 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 리드프레임의 제조방법은, 상기 하부에칭단계 직후 하부에 도금 및 유기 코팅을 하는 도금코팅단계; 를 더욱 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 리드프레임의 제조방법
14 14
리드프레임 원소재의 단면 또는 양면에 형성되는 다이패드패턴인 제1영역과 와이어 본딩이 되는 다수의 I/O패턴인 제2영역; 상기 다이패드패턴 및 IO패드 패턴은 리드프레임 원소재의 오목한 에칭패턴으로 구분되며, 상기 다이패드패턴 및 IO패드 패턴의 상부면 및 측면부를 둘러싸는 구조로 도금 또는 유기코팅이 형성되되, 상기 측면부의 도금 또는 유기코팅은 상기 에칭패턴의 깊이보다 작은 길이로 구현되는 리드프레임과, 상기 제 1 영역에 실장되는 반도체 칩과; 상기 제 2 영역에 연결되는 와이어 본딩부와; 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 상부, 상기 반도체 칩, 상기 와이어 본딩부를 덮도록 몰딩된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
15 15
리드프레임 원소재에 에칭패턴을 구현하여 다이패드패턴 및 IO패드 패턴을 형성하는 제 1 단계와; 상기 에칭패턴에 갭필링 물질을 충진하는 제2단계와; 상기 다이패드패턴 및 IO패드 패턴의 상부면 및 측면부를 둘러싸는 구조로 도금 또는 유기코팅이 형성되되, 상기 측면부의 도금 또는 유기코팅은 상기 에칭패턴의 깊이보다 작은 길이로 구현하는 제 3 단계; 상기 제 3 단계 후 칩을 실장하는 제 4 단계와; 상기 제 4 단계 후 와이어 본딩하는 제 5 단계와; 상기 제 5 단계 후 몰딩하는 제 6 단계; 를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 반도체 패키지의 제조방법은, 상기 제 6 단계 후 하부를 도금 하는 제 7 단계; 를 더욱 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 반도체 패키지의 제조방법은, 상기 제 3 단계 직후 또는 상기 제 6 단계 직후 하부에서 에칭하는 하부에칭단계; 를 더욱 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.