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태양전지
- 기술번호 : KST2015054952
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n 타입 또는 p 타입의 비정질 실리콘층과, 투명전극 및 투명전극과 비정질 실리콘층의 사이에 배치되는 금속 버퍼층(Metal Buffer Layer)을 포함할 수 있다. 또한, 금속 버퍼층의 재질은 In, Sn, B, Al, Ga 및 Zn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 투명전극이 인듐 주석 산화물(ITO) 재질을 포함하는 경우, 금속 버퍼층은 In 및 Sn 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다. 또는, 투명전극이 아연 산화물(ZnO) 재질을 포함하는 경우, 금속 버퍼층은 B, Al, Ga 및 Zn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/04 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080097613 (2008.10.06) |
| 출원인 | 엘지전자 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-0993513-0000 (2010.11.04) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0038585 (2010.04.15) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20101110) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.05.03) |
| 심사청구항수 | 8 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 엘지전자 주식회사 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 어영주 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 김선호 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 3 | 안세원 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 4 | 이헌민 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 5 | 고지훈 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 6 | 지광선 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인로얄 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 엘지전자 주식회사 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.10.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0696174-94 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5080835-50 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-0023850-26 |
| 4 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2010.05.03 | 취하 (Withdrawal) | 1-1-2010-0284347-47 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2010.05.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0283971-49 |
| 6 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2010.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0290642-08 |
| 7 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0300417-11 |
| 8 | [우선심사신청 취하]취하(포기)서 [Withdrawal of Request for Accelerated Examination] Request for Withdrawal (Abandonment) |
2010.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0301124-17 |
| 9 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2010.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 10 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2010.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0028402-87 |
| 11 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.07.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0295708-20 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.09.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0572671-58 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.09.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0572673-49 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.11.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0497955-73 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5068349-97 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5118228-40 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 불순물이 도핑된 결정질 실리콘 재질의 베이스 실리콘층; 상기 베이스 실리콘층의 상부에 일면이 위치되는 비정질 실리콘층; 상기 비정질 실리콘층의 타면에 일면이 위치되는 금속 버퍼층(Metal Buffer Layer); 일면이 상기 금속 버퍼층의 타면에 위치되는 광투과성의 투명전극; 및 상기 투명전극의 타면에 부분적으로 배치되어 상기 투명 전극과 전기적으로 연결된 그리드전극; 및 상기 베이스 실리콘층의 상부와 반대면인 후면에 배치되는 후면 전극;을 포함하며 상기 금속 버퍼층이 포함하는 재질을 제 1 재질이라 하고, 상기 투명전극이 포함하는 재질을 제 2 재질이라 할 때, 상기 제 1 재질의 전기 음성도(Electronegativity)의 크기는 상기 제 2 재질의 전기 음성도의 크기와 실리콘 재질(Si) 전기 음성도의 크기 사이 값을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 금속 버퍼층은 상기 투명전극 및 상기 비정질 실리콘층과 각각 접하며, 상기 투명전극과 상기 비정질 실리콘층을 분할하는 태양전지 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 금속 버퍼층의 두께는 상기 투명전극의 두께보다 얇거나 같은 태양전지 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 금속 버퍼층이 포함하는 재질을 제 1 재질이라 하고, 상기 투명전극이 포함하는 재질을 제 2 재질이라 할 때, 상기 제 1 재질의 전기 음성도(Electronegativity)와 실리콘 재질(Si)의 전기 음성도의 차이는 상기 제 1 재질의 전기 음성도와 상기 제 2 재질의 전기 음성도의 차이보다 작은 태양전지 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 금속 버퍼층의 두께는 0 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 금속 버퍼층의 재질은 In, Sn, B, Al, Ga 및 Zn 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 투명전극이 인듐 주석 산화물(ITO) 재질을 포함하는 경우, 상기 금속 버퍼층은 In 및 Sn 중 적어도 하나의 재질을 포함하는 태양전지 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 투명전극이 아연 산화물(ZnO) 재질을 포함하는 경우, 상기 금속 버퍼층은 B, Al, Ga 및 Zn 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지 |
| 10 |
10 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102037568 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | EP02240967 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | US20100084013 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | WO2010041846 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 5 | WO2010041846 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102037568 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN102037568 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | EP2240967 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 4 | EP2240967 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 5 | US2010084013 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 6 | WO2010041846 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 7 | WO2010041846 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0993513-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081006 출원 번호 : 1020080097613 공고 연월일 : 20101110 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101102 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20191105 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 357,000 원 | 2010년 11월 05일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2013년 10월 24일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2014년 10월 24일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2015년 10월 23일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 404,000 원 | 2016년 10월 24일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 404,000 원 | 2017년 10월 24일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 404,000 원 | 2018년 10월 24일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.10.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0696174-94 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5080835-50 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-0023850-26 |
| 4 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2010.05.03 | 취하 (Withdrawal) | 1-1-2010-0284347-47 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2010.05.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0283971-49 |
| 6 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2010.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0290642-08 |
| 7 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0300417-11 |
| 8 | [우선심사신청 취하]취하(포기)서 | 2010.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0301124-17 |
| 9 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2010.05.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 10 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2010.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0028402-87 |
| 11 | 의견제출통지서 | 2010.07.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0295708-20 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.09.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0572671-58 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.09.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0572673-49 |
| 14 | 등록결정서 | 2010.11.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0497955-73 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5068349-97 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5118228-40 |
| 기술번호 | KST2015054952 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | LG그룹 |
| 기술명 | 태양전지 |
| 기술개요 |
본 발명은 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n 타입 또는 p 타입의 비정질 실리콘층과, 투명전극 및 투명전극과 비정질 실리콘층의 사이에 배치되는 금속 버퍼층(Metal Buffer Layer)을 포함할 수 있다. 또한, 금속 버퍼층의 재질은 In, Sn, B, Al, Ga 및 Zn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 투명전극이 인듐 주석 산화물(ITO) 재질을 포함하는 경우, 금속 버퍼층은 In 및 Sn 중 적어도 하나의 재질을 포함할 수 있다. 또는, 투명전극이 아연 산화물(ZnO) 재질을 포함하는 경우, 금속 버퍼층은 B, Al, Ga 및 Zn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. |
| 개발상태 | |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415093671 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-N-PV12-P-03 |
| 연구과제명 | 유리기판대면적적층형실리콘박막태양전지모듈개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 엘지전자 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200708~201007 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
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중요키워드
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