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다열형 리드프레임 및 반도체 패키지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015055056
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다열형 리드프레임 및 반도체 패키지의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 다열형 리드프레임의 제조방법에 있어서, 원자재에 감광성 물질을 도포하고, 노광 및 현상을 수행한 다음 하프 에칭을 수행하는 제 1 단계와; 상기 제 1 단계 후 액상 감광성 물질을 사용하여 상기 원자재에 코팅하는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계 후 노광 및 현상을 수행하고, 도금 및 박리 처리를 수행하여 다열형 리드프레임을 제조하는 제 3 단계;를 포함하여 구성함으로서, 하프 에칭 후 도금을 통해 다열형 리드프레임을 제조하는 공정에서 액상 감광성 물질을 사용하여 코팅을 수행함으로서 재료비 단가를 감소시키고, 안정화 공법에 의해 종래기술에 대한 기술적 특이성을 구현할 수 있게 되는 것이다.다열형 리드프레임, 반도체 패키지, 액상 감광성 물질, 코팅, 필름형 감광성 물질
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080103391 (2008.10.22)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1148100-0000 (2012.05.15)
공개번호/일자 10-2010-0044310 (2010.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20120522) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류성욱 대한민국 서울특별시 서초구
2 서영욱 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 이성원 대한민국 서울특별시 서초구
4 이형의 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 유창우 대한민국 경기도 안산시 상록구
6 천현아 대한민국 경기도 안산시 상록구
7 엄새란 대한민국 인천광역시 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이엘에스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0731688-16
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0698962-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.07.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.08.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0052563-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0436353-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0786627-67
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0786609-45
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0360255-98
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0666178-11
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0666179-67
12 등록결정서
Decision to grant
2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0173446-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자재에 감광성 물질을 도포하고, 노광 및 현상을 수행한 다음 하프 에칭 후 상기 감광성물질의 박리를 수행하는 제 1 단계와;상기 제 1 단계 후 액상 감광성 물질을 사용하여 하프 에칭으로 패턴이 형성된 상기 원자재의 표면에 상기 액상 감광성 물질이 충진되도록 코팅하는 제 2 단계와;상기 액상감광성물질을 노광 및 현상을 수행하여 노출된 상기 원자재의 표면에 도금 및 박리 처리를 수행하여 다열형 리드프레임을 제조하는 제 3 단계;를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 액상 감광성 물질을 상기 원자재의 양면에 코팅하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 액상 감광성 물질을 상기 원자재의 상면에 코팅하고, 필름형 감광성 물질을 상기 원자재의 하면에 코팅하는 것을 특징으로 하는 다열형 리드프레임의 제조방법
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 의한 다열형 리드프레임의 제조방법을 이용한 반도체 패키지의 제조방법에 있어서,상기 제 3 단계 후 반도체 칩을 상기 다열형 리드프레임에 실장하고, 와이어 본딩을 수행하며, 몰딩을 수행하고, 하부 에칭을 수행하는 제 4 단계;를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.