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상부면 및 하부면에 상호 대응되는 그루브가 형성되어 있는 제 1 극성을 갖는 기판과; 상기 기판 상부면 및 하부면 각각에 형성되며, 상기 그루브 양측에 있는 기판 상부면 및 하부면의 일부가 노출되는 개구들을 갖는 제 1 과 2 절연막과; 상기 개구들에 노출된 기판 상부면 및 하부면에 형성되며, 상기 제 1 극성과 다른 제 2 극성을 갖는 제 1 내지 4 확산층들과; 상기 제 1 내지 4 확산층들 각각과 연결되고, 상호 이격되어 있으며, 상기 제 1 과 2 절연막 상부에 형성된 제 1 내지 4 전극들과; 상기 제 1 과 2 전극들에 플립칩(Flip chip) 본딩되어 있는 제 1 발광 다이오드와; 상기 제 3 과 4 전극들에 플립칩 본딩되어 있는 제 2 발광 다이오드와;상기 제 1 내지 4 전극들과 와이어로 본딩되거나 또는 솔더로 본딩되는 제 1 내지 4 패드 및 관통홀을 구비하는 인쇄회로기판을 포함하고,상기 관통홀은,상기 제 2 발광 다이오드에서 출사된 광이 상기 관통홀을 통하여 상기 인쇄회로기판의 하부로 방출되도록 상기 관통홀의 중심선이 상기 제 2 발광 다이오드의 중심선과 일치하도록 배치되는 발광 소자 패키지
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2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 그루브 각각의 내부에 반사막(Reflective layer)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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3 |
3
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제 1과 2 발광 다이오드들을 감싸며 상기 그루브에 채워진 충진제가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 충진제는, 형광체(Phosphor)와 실리콘 젤(Silicon gel)의 혼합물, 에폭시(Epoxy) 및 실리콘 젤 중 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 그루브의 깊이는,상기 그루브에 실장된 발광 다이오드의 높이보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 그루브의 측벽은,경사져 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 확산층, 기판과 제 3 확산층으로 이루어져 하나의 제너 다이오드가 형성되고, 상기 제 2 확산층, 기판과 제 4 확산층으로 이루어져 다른 하나의 제너 다이오드가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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8
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 확산층과 기판, 기판과 제 3 확산층, 상기 제 2 확산층과 기판, 기판과 제 4 확산층 각각으로 이루어져 PN형 또는 NP형 제너 다이오드가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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9
청구항 1에 있어서, 상기 제 1과 2 전극들은 인쇄회로기판 또는 글래스 기판에 형성된 전극패드에 와이어로 본딩되어 있고, 상기 제 3과 4 전극들은 인쇄회로기판 또는 글래스 기판에 형성된 다른 전극패드에 솔더볼로 전기적으로 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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제 1 극성을 갖는 기판 상부면 및 하부면에 상호 대응되는 그루브를 형성하는 단계와;상기 그루브 양측의 기판 상부면 및 하부면의 일부가 노출되는 개구들을 갖는 제 1 과 2 절연막을 상기 기판 상부면 및 하부면 각각에 형성하는 단계와;상기 개구들에 노출된 기판 상부면 및 하부면에 상기 제 1 극성과 다른 제 2 극성을 갖는 제 1 내지 4 확산층들을 형성하는 단계와;상기 제 1 내지 4 확산층들 각각과 연결되고, 상호 이격되어 있는 제 1 내지 4 전극들을 상기 제 1 과 2 절연막 상부에 형성하는 단계와;상기 제 1 과 2 전극들에 제 1 발광 다이오드를 플립칩(Flip chip) 본딩하고, 상기 제 3 과 4 전극들에 제 2 발광 다이오드를 플립칩 본딩하는 단계와;인쇄회로기판에 구비된 제 1 내지 4 패드를 상기 제 1 내지 4 전극들과 와이어로 본딩하거나 또는 솔더로 본딩하고, 상기 제 2 발광 다이오드에서 출사된 광이 상기 인쇄회로기판에 구비된 관통홀을 통하여 상기 인쇄회로기판의 하부로 방출되도록 상기 관통홀의 중심선을 상기 제 2 발광 다이오드의 중심선과 일치하도록 배치하는 단계로 구성된 발광 소자 패키지의 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 제 1 내지 4 확산층들 각각과 연결되고, 상호 이격되어 있는 제 1 내지 4 전극들을 상기 제 1과 2 절연막 상부에 형성하는 단계와 상기 제 1과 2 전극들에 제 1 발광 다이오드를 플립칩(Flip chip) 본딩하고, 상기 제 3과 4 전극들에 제 2 발광 다이오드를 플립칩 본딩하는 단계 사이에,상기 그루브 각각의 내부에 반사막(Reflective layer)을 형성하는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
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13
청구항 11 또는 12에 있어서, 상기 제 1과 2 전극들에 제 1 발광 다이오드를 플립칩(Flip chip) 본딩하고, 상기 제 3과 4 전극들에 제 2 발광 다이오드를 플립칩 본딩하는 단계후에, 상기 제 1과 2 발광 다이오드들을 감싸며 충진제를 상기 그루브에 채워 넣는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
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