맞춤기술찾기

이전대상기술

발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015055102
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 발광 소자 패키지의 하부에 위치된 발광 다이오드에서 출사된 광은 패키지 하부로 방출되고, 발광 소자 패키지의 상부에 위치된 발광 다이오드에서 출사된 광은 패키지 상부로 방출되는 것이므로, 양방향으로 광을 방출시킬 수 있는 장점이있다.그리고, 본 발명은 제너 다이오드를 추가적인 구성 부품을 사용하지 않고, 발광 소자 패키지를 구현하는 기판 상에 형성함으로써, 패키지를 경박 단소시킬 수 있게 된다. 발광소자, 패키지, 양방향, 광, 제너다이오드
Int. CL H01L 33/54 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020080105441 (2008.10.27)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1510474-0000 (2015.04.02)
공개번호/일자 10-2010-0046558 (2010.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20150408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.07)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박칠근 대한민국 서울특별시 서초구
2 송기창 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0744898-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0903493-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0653454-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1111730-92
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1111732-83
8 등록결정서
Decision to grant
2015.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0196869-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부면 및 하부면에 상호 대응되는 그루브가 형성되어 있는 제 1 극성을 갖는 기판과; 상기 기판 상부면 및 하부면 각각에 형성되며, 상기 그루브 양측에 있는 기판 상부면 및 하부면의 일부가 노출되는 개구들을 갖는 제 1 과 2 절연막과; 상기 개구들에 노출된 기판 상부면 및 하부면에 형성되며, 상기 제 1 극성과 다른 제 2 극성을 갖는 제 1 내지 4 확산층들과; 상기 제 1 내지 4 확산층들 각각과 연결되고, 상호 이격되어 있으며, 상기 제 1 과 2 절연막 상부에 형성된 제 1 내지 4 전극들과; 상기 제 1 과 2 전극들에 플립칩(Flip chip) 본딩되어 있는 제 1 발광 다이오드와; 상기 제 3 과 4 전극들에 플립칩 본딩되어 있는 제 2 발광 다이오드와;상기 제 1 내지 4 전극들과 와이어로 본딩되거나 또는 솔더로 본딩되는 제 1 내지 4 패드 및 관통홀을 구비하는 인쇄회로기판을 포함하고,상기 관통홀은,상기 제 2 발광 다이오드에서 출사된 광이 상기 관통홀을 통하여 상기 인쇄회로기판의 하부로 방출되도록 상기 관통홀의 중심선이 상기 제 2 발광 다이오드의 중심선과 일치하도록 배치되는 발광 소자 패키지
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 그루브 각각의 내부에 반사막(Reflective layer)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
3 3
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제 1과 2 발광 다이오드들을 감싸며 상기 그루브에 채워진 충진제가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 충진제는, 형광체(Phosphor)와 실리콘 젤(Silicon gel)의 혼합물, 에폭시(Epoxy) 및 실리콘 젤 중 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 그루브의 깊이는,상기 그루브에 실장된 발광 다이오드의 높이보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 그루브의 측벽은,경사져 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 확산층, 기판과 제 3 확산층으로 이루어져 하나의 제너 다이오드가 형성되고, 상기 제 2 확산층, 기판과 제 4 확산층으로 이루어져 다른 하나의 제너 다이오드가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 확산층과 기판, 기판과 제 3 확산층, 상기 제 2 확산층과 기판, 기판과 제 4 확산층 각각으로 이루어져 PN형 또는 NP형 제너 다이오드가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 제 1과 2 전극들은 인쇄회로기판 또는 글래스 기판에 형성된 전극패드에 와이어로 본딩되어 있고, 상기 제 3과 4 전극들은 인쇄회로기판 또는 글래스 기판에 형성된 다른 전극패드에 솔더볼로 전기적으로 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
10 10
삭제
11 11
제 1 극성을 갖는 기판 상부면 및 하부면에 상호 대응되는 그루브를 형성하는 단계와;상기 그루브 양측의 기판 상부면 및 하부면의 일부가 노출되는 개구들을 갖는 제 1 과 2 절연막을 상기 기판 상부면 및 하부면 각각에 형성하는 단계와;상기 개구들에 노출된 기판 상부면 및 하부면에 상기 제 1 극성과 다른 제 2 극성을 갖는 제 1 내지 4 확산층들을 형성하는 단계와;상기 제 1 내지 4 확산층들 각각과 연결되고, 상호 이격되어 있는 제 1 내지 4 전극들을 상기 제 1 과 2 절연막 상부에 형성하는 단계와;상기 제 1 과 2 전극들에 제 1 발광 다이오드를 플립칩(Flip chip) 본딩하고, 상기 제 3 과 4 전극들에 제 2 발광 다이오드를 플립칩 본딩하는 단계와;인쇄회로기판에 구비된 제 1 내지 4 패드를 상기 제 1 내지 4 전극들과 와이어로 본딩하거나 또는 솔더로 본딩하고, 상기 제 2 발광 다이오드에서 출사된 광이 상기 인쇄회로기판에 구비된 관통홀을 통하여 상기 인쇄회로기판의 하부로 방출되도록 상기 관통홀의 중심선을 상기 제 2 발광 다이오드의 중심선과 일치하도록 배치하는 단계로 구성된 발광 소자 패키지의 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 제 1 내지 4 확산층들 각각과 연결되고, 상호 이격되어 있는 제 1 내지 4 전극들을 상기 제 1과 2 절연막 상부에 형성하는 단계와 상기 제 1과 2 전극들에 제 1 발광 다이오드를 플립칩(Flip chip) 본딩하고, 상기 제 3과 4 전극들에 제 2 발광 다이오드를 플립칩 본딩하는 단계 사이에,상기 그루브 각각의 내부에 반사막(Reflective layer)을 형성하는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
13 13
청구항 11 또는 12에 있어서, 상기 제 1과 2 전극들에 제 1 발광 다이오드를 플립칩(Flip chip) 본딩하고, 상기 제 3과 4 전극들에 제 2 발광 다이오드를 플립칩 본딩하는 단계후에, 상기 제 1과 2 발광 다이오드들을 감싸며 충진제를 상기 그루브에 채워 넣는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.