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1
제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층의 적층 구조를 포함하는 발광 구조물;
상기 제2도전형 반도체층 위에 형성된 전극층;
상기 전극층 위에 형성된 전도성 지지부재;
상기 전도성 지지부재의 외측에 형성된 도금층을 포함하는 반도체 발광소자
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2
제 1항에 있어서,
상기 도금층은 상기 전극층 위의 외측 둘레, 상기 전도성 지지부재의 외측면 및 상면에 형성되는 반도체 발광소자
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3
제 1항에 있어서,
상기 발광 구조물의 외측 둘레는 상기 전극층의 외측 단에 비해 안쪽으로 커팅되며,
상기 전극층과 상기 제2도전형 반도체층의 사이의 외측 둘레에 틀 형태로 형성된 보호층을 포함하는 반도체 발광소자
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4
제 3항에 있어서,
상기 보호층은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2, SiOx, ITO, IZO, AZO 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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5
제 1항에 있어서,
상기 전도성 지지부재 및 도금층은 구리 또는 금으로 형성되며,
상기 전도성 지지부재는 열 처리된 반도체 발광소자
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6
제 3항에 있어서,
상기 보호층은 투과성 절연 재질로 형성되며, 상기 발광 구조물의 외벽 안쪽의 둘레를 따라 상기 제1도전형 반도체층의 일부까지 연장된 분리 돌기를 포함하는 반도체 발광소자
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7
제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층이 적층된 발광 구조물을 형성하는 단계;
상기 제2도전형 반도체층 위에 전극층을 형성하는 단계;
상기 전극층 위의 내측 영역에 전도성 지지부재를 형성하는 단계;
상기 전도성 지지부재를 열 처리하는 단계;
상기 전도성 지지부재의 측면에 도금층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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8
제7항에 있어서,
상기 제1도전형 반도체층은 기판 위에 형성되고,
상기 도금층 형성 후 상기 기판을 제거하고 상기 제1도전형 반도체층의 아래에 제1전극을 형성하는 반도체 발광소자 제조방법
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9
제7항에 있어서,
상기 도금층은 상기 전극층 위의 외측 상면, 상기 전도성 지지부재의 외측면 및 상면에 형성되는 반도체 발광소자 제조방법
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10
제7항에 있어서,
상기 전극층의 형성 전에 상기 제2도전형 반도체층 위의 칩 경계 영역에 보호층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 보호층은 상기 전극층과 상기 제2도전형 반도체층 사이의 외측 둘레에 틀 형태로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법
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11
제7항에 있어서,
상기 전도성 지지부재 및 도금층은 구리 또는 금을 이용한 도금 공정으로 형성되며,
상기 도금층은 레이저 스크라이버를 이용한 칩 분리에 사용되는 반도체 발광소자 제조방법
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