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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015055546
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것으로서, 상기 태양 전지는 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 일 면에 형성되어 있는 에미터층, 상기 에미터층 위에 형성된 도전성 투명 전극층, 상기 도전성 투명 전극층 위에 형성되고, 상기 도전성 투명 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극, 그리고 상기 반도체 기판의 다른 면에 형성되어 있고, 상기 반도체 기판과 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 제1 도전층 및 제2 도전층을 구비한다. 이때, 상기 제1 도전층은 직접 인쇄법으로 형성되고, 상기 제2 도전층 도금법으로 형성된다. 이로 인해, 본 발명에 따르면, 패턴 마스크와 같은 보조 수단을 이용하지 않은 직접 인쇄법을 이용하여 전면 전극을 형성하므로, 스크린 인쇄법과 같이 보조 수단을 이용하여 형성된 전면 전극의 폭에 비해 폭이 감소한다. 이로 인해, 빛이 입사되는 수광 면적이 향상되어, 태양 전지의 효율이 향상된다. 태양전지, 이종접합, 도금법, 직접인쇄법
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080115121 (2008.11.19)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0993511-0000 (2010.11.04)
공개번호/일자 10-2010-0056114 (2010.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20101112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.03)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선호 대한민국 서울특별시 서초구
2 최정훈 대한민국 서울특별시 서초구
3 안세원 대한민국 서울특별시 서초구
4 지광선 대한민국 서울특별시 서초구
5 어영주 대한민국 서울특별시 서초구
6 이헌민 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0797296-46
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0283972-95
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 취하 (Withdrawal) 1-1-2010-0284348-93
6 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0290643-43
7 [우선심사신청 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Request for Accelerated Examination] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0301125-63
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0300420-59
9 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0030145-40
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0300350-08
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0573932-48
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0573933-94
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0497585-83
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판, 상기 반도체 기판의 일 면에 위치하고, 상기 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터층, 상기 에미터층 위에 위치하는 도전성 투명 전극층, 상기 도전성 투명 전극층 위에 위치하고 한 방향으로 연장되어 있으며 상기 도전성 투명 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 제1 도전층 및 상기 제1 도전층 위에 위치하고 상기 제1 도전층을 따라서 연장되어 있는 제2 도전층을 구비한 제1 전극, 그리고 상기 반도체 기판의 다른 면에 위치하고, 상기 반도체 기판과 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극 을 포함하고, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층은 서로 다른 밀도를 갖고 있는 태양 전지
2 2
삭제
3 3
제1항에서, 상기 제2 도전층의 밀도가 상기 제1 도전층의 밀도보다 큰 태양 전지
4 4
제1항에서, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층은 전도성 금속 물질로 이루어져 있는 태양 전지
5 5
제4항에서, 상기 전도성 금속 물질은 니켈, 구리, 은, 알루미늄, 주석, 아연, 인듐, 티타늄, 금 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 태양 전지
6 6
제1항에서, 상기 제1 도전층은 직접 인쇄법으로 형성되는 태양 전지
7 7
제6항에서, 상기 직접 인쇄법은 잉크젯 인쇄법, EHD 젯트 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 그라비어 인쇄법, 플렉소 인쇄법 및 에어로솔 젯트 인쇄법 중 적어도 하나인 태양 전지
8 8
제1항 및 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에서, 상기 제2 도전층은 도금법으로 형성되는 태양 전지
9 9
제1항에서, 상기 제1 전극의 비저항값은 3
10 10
제1항에서, 상기 제1 전극의 폭은 10㎛ 내지 100㎛인 태양 전지
11 11
제1항에서, 상기 제1 전극의 높이는 10㎛ 내지 20㎛인 태양 전지
12 12
제1항에서, 상기 반도체 기판은 상기 에미터층과 다른 반도체로 이루어져 있는 태양 전지
13 13
제1 전도성 타입의 반도체 기판 위에 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 에미터층을 형성하는 단계, 상기 에미터층 위에 도전성 투명 전극층을 형성하는 단계, 상기 도전성 투명 전극층 위에 일정 간격으로 이격된 복수의 제1 도전층을 형성하는 단계, 그리고 상기 복수의 제1 도전층 위에 복수의 제2 도전층을 형성하여 전면 전극을 완성하는 단계 를 포함하고, 상기 복수의 제1 도전층은 직접 인쇄법을 통해 형성되며, 상기 복수의 제2 도전층은 도금법을 통해 형성되는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제13항에서, 상기 직접 인쇄법은 잉크젯 인쇄법, EHD 젯트 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 그라비어 인쇄법, 플렉소 인쇄법 및 에어로솔 젯트 인쇄법 중 적어도 하나인 태양 전지의 제조 방법
15 15
제13항 또는 제14항에서, 상기 도금법은 상기 도전성 투명 전극층과 상기 제1 도전층간의 전도도 차이를 고려하여 행해지는 태양 전지의 제조 방법
16 16
제13항에서, 상기 반도체 기판은 상기 에미터층과 다른 반도체로 이루어지는 태양 전지의 제조 방법
17 17
제1 전도성 타입의 반도체 기판 위에 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 에미터층을 형성하는 단계, 상기 에미터층 위에 도전성 투명 전극층을 형성하는 단계, 상기 도전성 투명 전극층 위 일정 간격으로 이격된 복수의 도금 방지층을 형성하고, 상기 도전성 투명 전극층의 일부를 드러내는 단계, 그리고 드러난 상기 도전성 투명 전극층 위에 복수의 전면 전극을 형성하는 단계 를 포함하고, 상기 복수의 도전성 투명 전극층은 직접 인쇄법을 통해 형성되며, 상기 복수의 전면 전극은 도금법을 통해 형성되는 태양 전지의 제조 방법
18 18
제17항에서, 상기 직접 인쇄법은 잉크젯 인쇄법, EHD 젯트 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 그라비어 인쇄법, 플렉소 인쇄법 및 에어로솔 젯트 인쇄법 중 적어도 하나인 태양 전지의 제조 방법
19 19
제17항에서, 상기 반도체 기판은 상기 에미터층과 다른 반도체로 이루어지는 태양 전지의 제조 방법
20 20
제17항에서, 상기 도금 방지층은 절연 물질로 이루어진 태양 전지의 제조 방법
21 21
제20항에서, 상기 절연 물질은 폴리머 계열의 물질인 태양 전지의 제조 방법
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2 EP02353187 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02353187 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP03496158 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 US09324886 US 미국 FAMILY
6 US09711667 US 미국 FAMILY
7 US10573770 US 미국 FAMILY
8 US20100132792 US 미국 FAMILY
9 US20160225940 US 미국 FAMILY
10 US20160233359 US 미국 FAMILY
11 WO2010058976 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
12 WO2010058976 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 CN102197495 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE202009019121 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 EP2353187 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2353187 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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7 EP3496158 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 US10573770 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US2010132792 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US2016225940 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US2016233359 US 미국 DOCDBFAMILY
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13 US9711667 US 미국 DOCDBFAMILY
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