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기판 후면에 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계;기판 전면에 n+ 층을 형성하는 단계;상기 기판 후면의 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계; 및상기 기판 후면의 컨택 개구부에 패턴화된 금속 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계는,기판 후면에 p형 도핑 전구체막, 패턴화된 확산 방지막 및 n형 도핑 전구체막을 순서대로 형성한 후에, 고열확산 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 상기 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)을 형성하는 단계는,기판 후면에 p형 도핑 전구체막을 형성하는 단계;상기 p형 도핑 전구체막 위에 패턴화된 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 확산 방지막의 전면 일부와 기판 후면의 일부가 노출되도록 p형 도핑 전구체막을 식각하는 단계; 상기 확산 방지막의 후면 및 측면과 기판 후면에 n형 도핑 전구체막을 형성하고, 고열의 확산 공정을 거치는 단계; 및상기 고열의 확산 공정에 의해 형성된 BSG 층, PSG 층과 상기 확산 방지막을 식각하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판 전면에 n+ 층을 형성하는 단계는,상기 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)가 형성된 기판 후면에 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 확산 방지막을 형성한 후, 기판 전면을 비등방성으로 식각하는 단계;상기 비등방성으로 식각된 기판 전면에 n형 전구체막을 형성하고, 고열의 확산 공정을 거치는 단계;상기 고열의 확산 공정에 의해 형성된 PSG 층과 상기 확산 방지막을 식각하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판 후면의 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)에 컨택 개구부 배열을 형성하는 단계는,상기 n+층이 형성된 기판의 전면 및 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)가 형성된 기판의 후면에 실리콘 산화층을 형성하는 단계;상기 기판 전면의 실리콘 산화층에 PECVD SiNx:H 층을 형성하는 동시에, 상기 기판 후면에 PECVD SiO2 층을 형성하는 단계; 및상기 PECVD SiO2 층의 측면 및 실리콘 산화층을 식각하는 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판 후면의 컨택 개구부에 패턴화된 금속 전극층을 형성하는 단계는,상기 기판 후면의 PECVD SiO2 층과 컨택 개구부에 금속 페이스트를 스크린 프린트하여 수행하는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지의 제조방법
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기판 전면에 순차로 증착된 실리콘 산화층 및 PECVD SiNx:H 층이 형성되고, 에미터(emitter)와 BSF(Back Surface Field)이 형성된 기판 후면에 순차로 증착된 실리콘 산화층 및 PECVD SiO2 층 및 금속 전극층이 형성된, 복수 개의 태양전지 셀을 포함하는 후면전극 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 금속 전극층은 PECVD SiO2 층의 후면에서 연장되어 PECVD SiO2 층의 측면 및 실리콘 산화층의 측면을 감싸면서 형성되는 것을 특징으로 하는 후면전극 태양전지
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