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기판 상에 소수성을 갖는 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 버퍼층의 소정 영역을 표면 처리하여 친수성을 갖는 표면 처리층을 형성하는 단계;상기 표면 처리층 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층 상에 유기 절연막을 형성하는 단계; 및상기 유기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 유기 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 표면 처리층을 형성하는 단계는, 상기 소정 영역에 자외선을 조사하는 단계;상기 자외선에 의해 오존이 활성 산소로 분해되고 상기 버퍼층의 유기 물질이 분해되는 단계; 및상기 활성 산소와 상기 분해된 유기 물질의 반응에 의해 상기 소정 영역에 표면 처리층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 자외선의 파장은 253
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제3항에 있어서, 상기 자외선은 마스크에 의해 상기 소정 영역에 상응하는 버퍼층에 조사되는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 소정 영역은 상이 유기 반도체층이 형성되는 영역인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법
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기판 상에 형성된 소수성을 갖는 버퍼층;상기 버퍼층의 소정 영역에 형성된 친수성을 갖는 표면 처리층;상기 버퍼층 상에 형성된 소스/드레인 전극;상기 표면 처리층 상에 형성된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상에 형성된 유기 절연막; 및상기 유기 절연막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터
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제7항에 있어서, 상기 버퍼층은 유기 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터
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다수의 게이트 라인들;상기 게이트 라인들과 교차하는 데이터 라인들;상기 각 게이트 라인과 상기 각 데이터 라인에 접속된 유기 박막트랜지스터;상기 유기 박막트랜지스터에 접속된 화소 전극을 포함하고, 상기 유기 박막트랜지스터는, 기판 상에 형성된 소수성을 갖는 버퍼층;상기 버퍼층의 소정 영역에 형성된 친수성을 갖는 표면 처리층;상기 버퍼층 상에 형성된 소스/드레인 전극;상기 표면 처리층 상에 형성된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상에 형성된 유기 절연막; 및상기 유기 절연막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하며,상기 화소 전극은 상기 드레인 전극과 상기 버퍼층에 접촉하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 소수성을 갖는 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 버퍼층의 소정 영역을 표면 처리하여 친수성을 갖는 표면 처리층을 형성하는 단계;상기 표면 처리층 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 유기 반도체층 상에 유기 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법
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