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활성층;
상기 활성층의 아래에 제1질화물 반도체층;
상기 활성층의 위에 제2질화물 반도체층; 및
상기 제1질화물 반도체층 및 상기 제2질화물 반도체층 중 적어도 한 층의 위 및 아래 중 적어도 하나에 금속과 질소의 화합물로 이루어진 복수의 도트를 갖는 광 산란제를 포함하며,
상기 제2질화물 반도체층은 제2도전형 반도체층을 포함하며,
상기 광 산란제는 상기 제2도전형 반도체층 위에 형성되며,
상기 제2도전형 반도체층 및 상기 광 산란제의 위에 투명 전극층 및 전극층 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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2
제1항에 있어서,
상기 제1질화물 반도체층은 버퍼층, 언도프드 반도체층 및 제1도전형 반도체층 중 적어도 하나를 포함하며,
상기 광 산란제는 상기 버퍼층, 언도프드 반도체층 및 상기 제1도전형 반도체층 중 적어도 한 층의 위에 형성되는 반도체 발광소자
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삭제
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4
삭제
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5
제1항에 있어서,
상기 광 산란제는 GaN 도트, InN 도트, AlN도트, AlGaN 도트, InGaN 도트, InAlGaN 도트 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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6
제5항에 있어서,
상기 광 산란제는 InxAlyGazN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, 0003c#x+y+z≤1)의 조성식으로 형성되며, 나노 크기인 반도체 발광소자
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7
제1항에 있어서,
상기 제1질화물 반도체층은 제1도전형을 갖는 복수의 질화물 반도체층을 포함하며,
상기 광 산란제는 상기 제1도전형을 갖는 복수의 질화물 반도체층 사이에 형성되는 반도체 발광소자
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8
제7항에 있어서,
상기 제1질화물 반도체층에 연결된 제1전극을 포함하는 반도체 발광소자
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9
제1항에 있어서,
상기 제1질화물 반도체층의 아래에 기판을 포함하며,
상기 광 산란제는 상기 기판과 제1질화물 반도체층 사이에 형성되는 반도체 발광소자
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10
제1도전형 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계; 및
상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제1 및 제2도전형 반도체층 중 적어도 한 층의 위 및 아래 중 적어도 하나에 금속 소스를 이용한 드롭렛을 질화 처리시킨 복수의 도트를 갖는 광 산란제를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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11
제10항에 있어서,
상기 광 산란제의 형성 단계는, 금속 소스를 공급하는 단계; 상기 금속 소스들이 상기 광 산란제가 형성된 반도체층의 표면 위에 드롭렛 형태로 형성되는 단계; 및 상기 드롭렛이 형성된 반도체층 위에 적어도 NH3를 공급하여, 질화 처리된 복수의 도트로 형성시켜 주는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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12
제11항에 있어서,
상기 드롭렛은 나노 크기인 반도체 발광소자 제조방법
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13
제11항에 있어서, 상기 금속 소스는 TMGa 또는 TEGa, TMAl, TMln 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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14
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 광 산란제는 나노 크기이며, GaN 도트, InN 도트, AlN도트, AlGaN 도트, InGaN 도트, InAlGaN 도트 중 적어도 하나인 반도체 발광소자 제조방법
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15
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 광 산란제는 상기 제2도전형 반도체층 위에 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층 및 상기 광 산란제의 위에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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