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제 1도전형 반도체층;
상기 제 1도전형 반도체층 위에 형성된 활성층; 및
상기 활성층 위에 형성된 제2도전형 클래드층; 상기 제2도전형 클래드층 위에 형성된 제2도전형 반도체층; 상기 제2도전형 반도체층 위에 형성된 제1언도프드 반도체층; 상기 제1언도프드 반도체층 위에 형성되며 상기 제2도전형 반도체층에 도핑된 제2도전형 도펀트의 농도보다 높은 도핑농도를 갖는 고농도의 제2도전형 반도체층; 및 상기 고농도의 제2도전형 반도체층 위에 형성된 제2전극 접촉층을 포함하는 제2도전형 구조물을 포함하는 반도체 발광소자
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2
제 1항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층은 undoped GaN층과 상기 undoped GaN층 위에 형성된 undoped InGaN층의 페어를 포함하며,
상기 undoped GaN층의 두께가 상기 undoped InGaN층의 두께보다 얇게 형성되는 반도체 발광소자
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3
제1항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층은 undoped GaN층 및 undoped InGaN층 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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4
제1항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층은 undoped GaN층과 상기 undoped GaN층 위에 형성된 undoped InGaN층의 페어를 포함하며, 상기 페어는 적어도 1주기로 형성되는 반도체 발광소자
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5
제1항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층은 GaN, InGaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나를 단일층 또는 복수개 층으로 형성시켜 주는 반도체 발광소자
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6
제 1항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층의 두께는 10Å~2000Å로 형성되는 반도체 발광소자
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7
제1항에 있어서,
상기 제1도전형 반도체층 아래에 제2언도프드 반도체층, 버퍼층, 기판 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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8
제1항에 있어서,
상기 제2도전형 구조물 위에 제3도전형 반도체층, 투명전극층, 제2전극층 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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9
제 1도전형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 위에 제 2도전형 구조물을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제2도전형 구조물은 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층 위에 제1언도프드 반도체층을 형성하는 단계; 상기 언도프드 반도체층 위에 상기 제2도전형 반도체층에 도핑된 제2도전형 도펀트의 농도보다 높은 도핑 농도를 갖는 고농도의 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제 9항에 있어서,
상기 고농도의 제2도전형 반도체층 위에 제2전극 접촉층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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11
제 9항에 있어서,
상기 제2도전형 구조물 위에 제3도전형 반도체층, 투명전극층 및 제2전극층 중 적어도 하나를 형성하며,
상기 제1도전형 반도체층 아래에 제2언도프드 반도체층, 버퍼층, 기판 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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12
제 9항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층은 undoped GaN층 및 undoped InGaN층 중 적어도 하나를 단일층 또는 복수개 층으로 형성하는 반도체 발광소자 제조방법
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13
제9항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층은 undoped GaN층과 상기 undoped GaN층 위에 형성된undoped InGaN층의 페어를 포함하며, 상기 페어는 적어도 1주기로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층은 GaN, InGaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나를 단일층 또는 복수개 층으로 형성하는 반도체 발광소자 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 제1언도프드 반도체층은 undoped GaN층과 상기 undoped GaN층 위에 형성된undoped InGaN층의 페어로 형성되며, 상기 undoped GaN층의 두께가 상기 undoped InGaN층의 두께보다 얇게 형성되는 반도체 발광소자 제조방법
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