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미세결정 실리콘 TFT를 포함하는 전자 디바이스의 제조방법에 있어서,기판 상에 게이트 금속층을 전면 증착한 후 패터닝하여 상기 TFT의 게이트전극을 포함하는 게이트 금속패턴을 형성하는 단계;상기 게이트 금속패턴이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질 실리콘층, 배리어층, 및 광-열 변환층을 전면 증착하고, 상기 광-열 변환층에 레이저 광을 조사하여 상기 비정질 실리콘층을 미세결정 실리콘층으로 결정화한 후, 상기 광-열 변환층을 제거하는 단계;상기 배리어층과 상기 미세결정 실리콘층을 동일 마스크를 이용하여 순차적으로 패터닝하여 상기 게이트전극 상에 위치하는 활성층과, 상기 활성층 상에 위치하는 에치 스토퍼 패턴을 형성하는 단계; 및상기 에치 스토퍼 패턴이 형성된 기판 상에 n+ 불순물이 함유된 비정질 실리콘층과 데이터 금속층을 전면 증착한 후 순차적으로 패터닝하여 상기 TFT의 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 데이터 금속패턴과, 상기 데이터 금속패턴 및 상기 활성층 간의 오믹 저항을 줄이기 위한 오믹 콘택층을 형성하는 단계를 포함하고;상기 에치 스토퍼 패턴은 상기 오믹 콘택층을 형성하기 위한 식각 공정시 플라즈마 데미지로부터 상기 활성층을 보호하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 데이터 금속패턴이 형성된 기판 상에 무기 절연층을 전면 증착한 후 패터닝하여 상기 드레인전극 일부를 노출하는 보호층을 형성하는 단계; 및상기 보호층이 형성된 기판 상에 투명 전도성 금속을 전면 증착한 후 패터닝하여 상기 TFT의 드레인전극에 접촉되는 투명 도전패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 배리어층은 SiOx, ZnO2, ITO 등의 산화 필름 계열과, SiNx 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 배리어층은 10nm ~ 200nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저는 800nm~810nm 파장의 광을 발생하는 적외선 다이오드 레이저인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조방법
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