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발광 다이오드용 전원 공급 장치

  • 기술번호 : KST2015055802
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 입력 전압을 소정의 전압으로 변환하는 전압 변환부, 상기 전압 변환부에 의해서 제공되는 전압에 의해서 턴온되는 적어도 하나의 발광 다이오드, 상기 적어도 하나의 발광 다이오드를 통해서 흐르는 전류를 전달하는 전류 전달부 및 상기 전류 전달부에 의해서 전달되는 전류에 의해서 상기 적어도 하나의 발광 다이오드의 상태를 출력하는 상태 출력부를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치를 제공한다. 발광 다이오드, 액정 표시, 전원
Int. CL H05B 37/02 (2006.01)
CPC H05B 45/37(2013.01) H05B 45/37(2013.01)
출원번호/일자 1020080124692 (2008.12.09)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0968925-0000 (2010.07.01)
공개번호/일자 10-2010-0066055 (2010.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한재현 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0847349-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0523444-96
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0080811-03
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0080825-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
7 등록결정서
Decision to grant
2010.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0245451-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 전압을 소정의 전압으로 변환하는 전압 변환부; 상기 전압 변환부에 의해서 제공되는 전압에 의해서 턴온되는 적어도 하나의 발광 다이오드; 상기 적어도 하나의 발광 다이오드를 통해서 흐르는 전류를 전달하는 전류 전달부; 및 상기 전류 전달부에 의해서 전달되는 전류에 의해서 상기 적어도 하나의 발광 다이오드의 상태를 출력하는 상태 출력부를 포함하고, 상기 상태 출력부는 상기 전류 전달부에 의해서 전달되는 전류에 의해서 턴온되는 제 1 스위칭 소자와, 상기 제 1 스위칭 소자에 의해서 제어되어 상기 적어도 하나의 발광 다이오드의 상태를 출력하는 제 2 스위칭 소자를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 전류 전달부는 제1 저항과 제2 항을 포함하고, 상기 제1 저항의 일단은 상기 적어도 하나의 발광 다이오드와 전기적으로 연결되고 상기 제 1 저항의 타단은 상기 제2 저항의 일단과 전기적으로 연결되는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 전류 전달부는 상기 제 2 저항에 병렬 연결되는 커패시터를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
4 4
삭제
5 5
제4항에 있어서, 상기 제 1 스위칭 소자와 상기 제 2 스위칭 소자는 바이폴라 정션 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT)를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
6 6
제4항에 있어서, 상기 제 1 스위칭 소자와 상기 제 2 스위칭 소자는 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOSFET)를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
7 7
제1항에 있어서, 상기 전류 전달부에서 상기 적어도 하나의 발광 다이오드로 전류가 유입되는 것을 방지하는 전류 역류 방지부를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 전류 역류 방지부는 다이오드를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.