| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 공중합체:[화학식 1]상기 화학식 1에서, A 및 W는 각각 독립적으로, 또는 를 나타내며, 상기에서, P는 , , , , , , 또는 를 나타내고, R1은 수소, -NO2 또는 -CF3를 나타내며, R2는 수소, 메틸, -CF3 또는 페닐을 나타내고,X 및 Y는 각각 독립적으로, , , , , , 또는 를 나타내며,상기에서 Q는 , 또는 를 나타내고,X에서 R3는 -SO3M(상기에서 M은 H, Na 또는 K)를 나타내며,Y에서 R3는 -COOM(상기에서 M은 H, Na 또는 K)를 나타내고,B는 또는 를 나타내며, 상기에서 T는 또는 를 나타내고,Z는 A, X 또는 Y이며,a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 1의 실수를 나타내고,a, b, c 및 d가 하기 수학식 1 및 2의 조건을 만족하며,[수학식 1]a + b + c + d = 1[수학식 2]0 003c# d/(a + b + c) 003c# 1n은 식 「1 ≤ n 003c# 200」을 만족하며,SO3M 및 COOM의 총 함량이 0
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, A 및 W가 각각 독립적으로 , , , , 또는 를 나타내는 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, X 및 Y가 각각 독립적으로, , 또는 를 나타내는 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, B가 를 나타내는 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, X에서 R3가 -SO3M(상기에서 M은 Na 또는 K)이고, Y에서 R3가 -COOH인 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 중량평균분자량이 2,000 내지 1,000,000인 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 10 |
10
하나 이상의 술폰산계 관능기를 가지는 방향족 화합물 및 하나 이상의 카복실계 관능기를 가지는 방향족 화합물을 함유하는 단량체 혼합물을 중합시키는 단계를 포함하는 제 1 항 내지 제 4 항, 제 6 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 공중합체의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서, 술폰산계 관능기를 가지는 방향족 화합물이 벤젠 고리에 치환된 하나 이상의 술폰산기 또는 술폰산염기를 가지는 비스페놀계 단량체 또는 방향족 디할로겐계 단량체이고, 카복실계 관능기를 가지는 방향족 화합물이 벤젠 고리에 치환된 하나 이상의 카복실산기 또는 카복실산염기를 가지는 비스페놀계 단량체 또는 방향족 디할로겐계 단량체인 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서, 단량체 혼합물은 방향족계 화합물 및 브렌쳐로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 13 |
13
제 10 항에 있어서, 단량체 혼합물이 탄산염 무수물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 14 |
14
제 10 항에 있어서, 중합 반응을 170℃ 내지 190℃의 온도에서 6 시간 내지 24 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 15 |
15
제 10 항에 있어서, 중합 반응의 수행 전에 단량체 혼합물에서 공비 혼합물을 제거하는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서, 공비 혼합물의 제거는 140℃ 내지 150℃의 온도에서 3 시간 내지 5 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 17 |
17
제 10 항에 있어서, 중합 반응을 거쳐 제조된 공중합체를 산 처리하는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 18 |
18
제 17 항에 있어서, 산 처리를 거친 공중합체를 금속염과 반응시키는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 19 |
19
제 18 항에 있어서, 금속염이 염화 나트륨, 탄산 나트륨, 염화 칼륨 및 탄산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 제조 방법
|
| 20 |
20
지지체; 및 상기 지지체의 일면 또는 양면에 형성되고, 제 1 항 내지 제 4 항, 제 6 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 공중합체를 함유하는 고분자막을 포함하는 수처리 분리막
|
| 21 |
21
제 20 항에 있어서, 지지체가 정밀 여과막, 한외 여과막, 나노 여과막 또는 역삼투막인 것을 특징으로 하는 수처리 분리막
|
| 22 |
22
제 20 항에 있어서, 고분자막의 두께가 0
|
| 23 |
23
제 20 항에 따른 수처리 분리막을 포함하는 수처리 모듈
|
