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베이스 수지; 및 상기 베이스 수지 내에 분산된, 설페이트화 금속 산화물 함유 실리카 매트릭스를 포함하는 유무기 복합 조성물
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제 1 항에 있어서, 베이스 수지는 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리술폰, 폴리(테트라플루오로에틸렌), 폴리(비닐리덴플루오라이드), 나피온계 고분자, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아졸, 폴리벤즈이미다졸, 폴리아릴렌에테르, 폴리페닐술폰 및 폴리에테르에테르케톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 조성물
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제 1 항에 있어서, 베이스 수지는 카복실기, 히드록시기, 술폰기 및 포스폰산기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 친수성 관능기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 복합 조성물
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제 1 항에 있어서, 금속이 4가 전이금속인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 조성물
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제 1 항에 있어서, 금속이 지르코늄, 티타늄, 주석 및 납으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상 것을 특징으로 하는 유무기 복합 조성물
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제 1 항에 있어서, 설페이트화 금속 산화물은 실리카 매트릭스 함량을 기준으로 0
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제 1 항에 있어서, 설페이트화 금속 산화물 함유 실리카 매트릭스는 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 0
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8
설페이트화 금속 산화물을 함유하는 실리카 매트릭스를 제조하는 제 1 단계; 및 제 1 단계에서 제조된 실리카 매트릭스를 베이스 수지와 혼합하는 제 2 단계를 포함하는 유무기 복합 조성물의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 제 1 단계는, (1) 용매 내에서 설페이트화 금속 산화물 및 실리카 전구체를 혼합하여, 상기 금속 산화물 상에 실리카 매트릭스를 형성시키는 단계; 및(2) 단계 (1)을 거쳐 제조된 실리카 매트릭스를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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10
제 9 항에 있어서, 실리카 전구체는 알콕시 실란인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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11
제 9 항에 있어서, 단계 (2)의 소성은 500℃ 내지 600℃의 온도에서 24 시간 내지 72 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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12
지지체; 및 상기 지지체의 일면 또는 양면에 형성된 유무기 복합막을 포함하는 수처리 분리막에 있어서,상기 유무기 복합막이 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 조성물로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 수처리 분리막
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13
제 12 항에 있어서, 지지체가 정밀 여과막, 한외 여과막, 나노 여과막 또는 역삼투막인 것을 특징으로 하는 수처리 분리막
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14
제 12 항에 있어서, 지지체가 유리판, 폴리에스테르 필름, 부직포-폴리술폰 다공성 지지체 또는 부직포-폴리비닐리덴플루오라이드 다공성 지지체인 것을 특징으로 하는 수처리 분리막
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제 12 항에 따른 수처리 분리막을 포함하는 수처리 모듈
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