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제1 불순물 반도체 기판의 전면에 형성되고, 제2 불순물의 고농도 도핑영역과 제2 불순물의 저농도 도핑영역으로 이루어진 제2 불순물 반도체층;상기 제2 불순물 반도체층의 제2 불순물의 고농도 도핑영역 위에 형성된 전면전극; 및상기 제1 불순물 반도체 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하고, 상기 제2 불순물의 고농도 도핑영역의 깊이가 상기 제2 불순물의 저농도 도핑영역의 깊이보다 깊고, 상기 제2 불순물의 저농도 도핑영역의 깊이는, 저농도 도핑영역의 중심부에서 제2 불순물의 고농도 도핑영역과 제2 불순물의 저농도 도핑영역의 경계면으로 갈수록 깊이가 더 깊어지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 제1 불순물 반도체 기판과 제2 불순물 반도체층의 접합면은 요철구조인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 제2 불순물의 고농도 도핑영역과 제2 불순물의 저농도 도핑영역은, 제1 불순물 반도체 기판의 전면에 상호 교차되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 제2 불순물의 저농도 도핑영역의 중심부 깊이는 0
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제 1항에 있어서,상기 제2 불순물의 저농도 도핑영역의 경계면 깊이는, 상기 중심부 깊이보다 크고 0
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제 1항에 있어서,상기 제1 불순물은 p형 반도체 불순물이고, 상기 제2 불순물은 n형 반도체 불순물인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 7항에 있어서,상기 n형 반도체 불순물은 인(P), 비소(As), 안티모니(Sb)로 구성된 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 불순물 반도체 기판의 전면에 제2 불순물의 고농도 도핑영역과 제2 불순물의 저농도 도핑영역으로 이루어진 태양전지의 선택적 에미터를 형성하는 방법에 있어서,상기 제2 불순물의 고농도 도핑영역은,상기 제1 불순물 반도체 기판 위에서 상기 제2 불순물의 고농도 도핑영역에 대응하는 패턴을 가지도록 제2 불순물 페이스트를 도포하는 단계와,상기 제2 불순물 페이스트를 열처리하는 단계를 포함하여 형성되고, 상기 제2 불순물의 저농도 도핑영역은, 상기 제1 불순물 반도체 기판 위에서 제2 불순물의 고농도 도핑영역이 형성되지 않은 나머지 영역에 형성되며, 상기 제2 불순물의 저농도 도핑영역은, 상기 제2 불순물 페이스트를 열처리하는 단계에서 상기 제2 불순물 가스의 확산에 의하여 상기 열처리하는 단계에서 상기 제2 불순물의 고농도 도핑영역과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제 9항에 있어서,상기 제2 불순물 가스는, 도포된 제2 불순물 페이스트로부터 발생된 제2 불순물 가스이거나 또는 주입된 POCl3 가스인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제 9항에 있어서,상기 제2 불순물 페이스트는 스크린 프린팅법 또는 인쇄법에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제 9항에 있어서,상기 열처리는 820℃ 내지 950℃의 온도에서 30초 내지 10분 이내로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제 9항에 있어서,상기 제1 불순물은 p형 반도체 불순물이고, 상기 제2 불순물은 n형 반도체 불순물인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제 16항에 있어서,상기 n형 반도체 불순물은 인(P), 비소(As), 안티모니(Sb)로 구성된 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제 9항, 제 13항 내지 제 17항 중 어느 하나의 항에 따른 태양전지의 선택적 에미터 형성방법을 포함하는 태양전지의 제조방법
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