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발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015055953
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요약 실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 기판이 준비되는 단계; 상기 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역을 노출하는 제1 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 패턴을 패시베이션(passivation) 마스크로 이용하여 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역에 요철을 형성하는 단계; 상기 제1 패턴을 제거하고 상기 요철이 형성되지 않은 제2 도전형 반도체층 중 제1 영역의 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 제거하여 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 단계; 상기 노출된 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 요철이 형성되지 않은 제2 반도체층 중 제2 영역에 제2 전극층을 형성하는 단계;를 포함한다. 발광소자
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020080135653 (2008.12.29)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1072199-0000 (2011.10.04)
공개번호/일자 10-2010-0077643 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정순 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0899296-16
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0035037-12
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0210107-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0513829-05
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0027476-57
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0027477-03
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0394838-36
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.08.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0029755-22
11 등록결정서
Decision to grant
2011.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0538171-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판이 준비되는 단계; 상기 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역을 노출하는 제1 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 패턴을 패시베이션(passivation) 마스크로 이용하여 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역에 요철을 형성하는 단계; 상기 제1 패턴을 제거하고, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 상기 요철이 형성되지 않은 제1 영역을 노출하는 제2 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제1 영역에 해당하는 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 제거한 후 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 단계; 상기 노출된 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상의 상기 요철이 형성되지 않은 제2 영역에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역에 요철을 형성하는 단계에서, 상기 노출된 제2 도전형 반도체층 표면에 거칠기를 형성하기 위한 재성장(Re-growth) 공정을 진행하는 발광소자의 제조방법
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삭제
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제1 항에 있어서, 상기 재성장 공정은 화학증착법을 이용한 성장조건의 조절을 통해서 표면 거칠기를 생성하는 발광소자의 제조방법
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제3 항에 있어서, 상기 재성장 성장조건은 상기 노출된 제2 도전형 반도체층 표면에 추가적인 제2 도전형 반도체층을 1000 ℃이하의 온도에서 성장하는 발광소자의 제조방법
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제3 항에 있어서, 상기 재성장 성장조건은 상기 노출된 제2 도전형 반도체층 표면에 Mg 또는 실리콘(Si) 표면 처리를 해줌으로써 표면 거칠기를 생성하는 발광소자의 제조방법
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.