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산화물 박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015055977
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법은 제 1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 제 2 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 반도체층을 제 2 기판으로부터 이격시켜, 게이트 절연막에 부착시키는 단계;를 포함한다. 반도체층은 따로 형성되어 부착되기 때문에, 산화물 박막 트랜지스터는 저온의 공정에서 형성될 수 있다.산화물, 박막, 트랜지스터, 스템핑, stamp
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020080131522 (2008.12.22)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1459788-0000 (2014.11.03)
공개번호/일자 10-2010-0072955 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20141113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김혜민 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0880566-05
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0210107-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1023447-43
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0046894-86
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0602982-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;제 2 기판 상에 산화물 반도체를 포함하는 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층을 상기 제 2 기판으로부터 이격시켜, 상기 게이트 절연막에 부착시키는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 인듐 갈륨 징크 옥사이드, 징크 옥사이드, 인듐 갈륨 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 징크 틴 옥사이드를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반도체층을 상기 게이트 절연막에 부착시키는 단계는상기 게이트 절연막에 플라즈마를 분사하여, 접착력 향상 영역을 형성하는 단계; 및상기 접착력 향상 영역에 상기 반도체층을 부착시키는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계는,상기 제 2 기판 상에 접착력 저하막을 형성하는 단계; 및상기 접착력 저하막 상에 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 접착력 저하막은 옥타데실트리클로로실란을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계는,상기 제 2 기판 상에 금속 산화물을 증착하는 단계; 및상기 금속 산화물을 열처리 하는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 더 높은 내열성을 가지는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.