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다열 리드형 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015055988
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 패키지용 다열 리드형 리드프레임에 관한 것으로, 본 발명은 리드프레임 원소재에 도금패턴을 형성하는 1단계, 상기 도금패턴 상에 보호패턴을 형성하는 2단계, 상기 보호패턴을 마스크로 하여 미세패턴을 형성하는 3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 도금층을 에칭마스크로 사용하는 종래의 문제를 해결하기 위하여, 도금패턴의 상부에 보호패턴을 형성하여 리드프레임의 패턴 형성시에 에칭액으로 인한 도금층의 손상을 막아 제품의 신뢰성을 높일 수 있는 리드프레임을 제공하는 효과가 있다. 반도체 패키지, 리드프레임, plating burr
Int. CL H01L 23/495 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080132887 (2008.12.24)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1064755-0000 (2011.09.06)
공개번호/일자 10-2010-0074449 (2010.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20110915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.08)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 천현아 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 최재봉 대한민국 경기도 오산시
3 이성원 대한민국 서울특별시 서초구
4 류성욱 대한민국 서울특별시 서초구
5 이혁수 대한민국 경기도 안산시 상록구
6 엄새란 대한민국 인천광역시 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이엘에스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0886396-79
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0344514-48
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0344491-86
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.06.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0343530-01
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2009.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0039915-60
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2009.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0050241-10
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0571826-46
8 보정요구서
Request for Amendment		 2009.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0069263-47
9 직권수리안내서
Notification of Ex officio Acceptance		 2009.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0069958-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0045140-63
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0496911-50
14 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0529310-94
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0576759-17
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0110381-44
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0110391-01
18 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0488124-83
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리드프레임 원소재에 도금패턴을 형성하는 1단계; 상기 도금패턴 상에 보호패턴을 형성하되, 상기 리드프레임 원소재의 상면에 형성되는 상부 보호패턴의 폭(T1)은 도금 패턴의 폭(T2) 이상의 길이로 형성하는 2단계; 상기 보호패턴을 마스크로 하여 미세패턴을 형성하는 3단계; 를 포함하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 1단계는, 상기 리드프레임 원소재의 양면 또는 단면에 감광성 물질을 도포하고, 노광 및 현상하여 리드프레임 패턴을 형성하는 a) 단계; 상기 리드프레임 패턴에 도금을 수행하는 b) 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 1단계는, 상기 도금패턴을 Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co, Cu 중에 선택되는 1원 또는 2원, 3원의 합금층을 사용하여, 단층 또는 다층으로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 1단계는, 상기 도금 패턴을 형성한 후, 상기 감광성 물질을 박리하는 c) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 2단계는, 도금패턴이 형성된 리드프레임 원소재의 양면 또는 단면에 감광성 물질을 도포하여 포토리소그라피법을 이용하는 단계인 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 2단계는, 리드프레임 원소재의 양면에 감광성 물질을 도포하고, 상기 리드프레임 원소재의 상면에는 패턴의 노광 및 현상을 수행하여 상부 보호패턴을 형성하며, 하면에는 전면 노광을 실시하여 하부 보호패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
7 7
삭제
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 보호패턴을 상기 도금패턴의 상면과 측면부위를 감싸는 구조로 형성시키는 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
9 9
청구항 1 또는 청구항 6에 있어서, 상기 3단계는, 상기 상부 보호패턴 부위 이외의 노출된 상기 리드프레임의 상면을 에칭하는 단계인 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 3단계 이후에, 상기 보호패턴을 박리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임의 제조방법
11 11
리드프레임 원소재에 도금패턴을 형성하는 1단계; 상기 도금패턴 상에 보호패턴을 형성하되, 상기 리드프레임 원소재의 상면에 형성되는 상부 보호패턴의 폭(T1)은 도금 패턴의 폭(T2) 이상의 길이로 형성하는 2단계; 상기 보호패턴을 마스크로 하여 미세패턴을 형성하는 3단계; 상기 보호패턴을 박리하고, 반도체칩을 실장, 와이어본딩, 에폭시 몰딩을 수행하고, 백 에칭을 통해 반도체 패키지를 완성하는 4단계; 를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
12 12
삭제
13 13
리드프레임 원소재의 상면 또는 하면에 적어도 1 이상의 미세패턴이 형성되며, 상기 미세패턴이 형성되지 않는 부분의 어느 하나 이상에 도금패턴을 포함하여 리드프레임을 구성하되, 상기 리드프레임의 상부패턴면의 폭(T3)이 도금패턴의 폭(T2) 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 리드프레임 스트립의 외곽부는 노출된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드 프레임
15 15
삭제
16 16
청구항 13 또는 청구항 14에 있어서, 상기 도금패턴은 Cu, Ni, Pd, Au, Sn, Ag, Co 중 어느 하나 또는 이들의 2원, 3원 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다열 리드형 리드프레임
17 17
리드프레임 원소재의 상면 또는 하면에 적어도 1 이상의 미세패턴이 형성되며, 상기 미세패턴이 형성되지 않는 부분의 어느 하나 이상에 도금패턴을 포함하여 리드프레임을 구성하되, 상기 리드프레임의 상부패턴면의 폭(T3)이 도금패턴의 폭(T2) 이상으로 형성되는 다열 리드형 리드프레임에 반도체 칩과 와이어 본딩과 에폭시 몰딩을 포함하여 형성되는 반도체 패키지
18 18
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4 TWI408788 TW 대만 FAMILY
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8 WO2010074510 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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5 TWI408788 TW 대만 DOCDBFAMILY
6 US2012038036 US 미국 DOCDBFAMILY
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8 WO2010074510 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
9 WO2010074510 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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