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발광 다이오드용 전원 공급 장치

  • 기술번호 : KST2015055994
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 예는 발광 다이오드용 전원 공급 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드용 전원 공급 장치는 입력되는 교류 전압을 직류 전압으로 정류하는 전압 정류부, 정류된 전압을 소정의 전압으로 변환하는 전압 변환부, 전압 변환부에 의해서 제공되는 전압에 의해서 턴 온되는 적어도 하나의 발광 다이오드 및 적어도 하나의 발광 다이오드에 공급되는 전압을 기준 전압과 비교하여 전압이 기준 전압보다 높으면 전압을 차단하고, 전압이 기준 전압보다 낮으면 전압을 공급하는 발광 다이오드 보호부를 포함한다. 발광 다이오드, 액정 표시, 전원
Int. CL G09G 3/32 (2006.01) G02F 1/133 (2006.01) H05B 37/02 (2006.01)
CPC G09G 3/3406(2013.01) G09G 3/3406(2013.01) G09G 3/3406(2013.01) G09G 3/3406(2013.01)
출원번호/일자 1020080134665 (2008.12.26)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1007034-0000 (2011.01.03)
공개번호/일자 10-2010-0076566 (2010.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한재현 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0893945-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0034868-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0272070-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0556558-21
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0556552-58
9 등록결정서
Decision to grant
2010.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0600787-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력되는 교류 전압을 직류 전압으로 정류하는 전압 정류부; 상기 정류된 전압을 소정의 전압으로 변환하는 전압 변환부; 상기 전압 변환부에 의해서 제공되는 전압에 의해서 턴 온되는 적어도 하나의 발광 다이오드; 및 상기 적어도 하나의 발광 다이오드에 공급되는 전압을 기준 전압과 비교하여 상기 전압이 상기 기준 전압보다 높으면 상기 전압을 차단하고, 상기 전압이 상기 기준 전압보다 낮으면 상기 전압을 공급하는 발광 다이오드 보호부;를 포함하고, 상기 발광 다이오드 보호부는 상기 발광 다이오드에 공급되는 전압을 분배하는 제1 전압 분배부; 상기 제1 전압 분배부를 통해 분배된 상기 전압과 상기 기준 전압을 비교하는 전압 비교부; 상기 전압 비교부를 통해 공급되는 출력전압을 제어하는 제1 스위칭부; 상기 제1 스위칭부에 따라 상기 발광 다이오드에 공급되는 전류를 제어하는 제2 스위칭부; 및 상기 발광 다이오드에 공급되는 전류를 제한하는 전류 제한부;를 포함하고, 상기 전압 비교부는 상기 분배된 상기 전압이 상기 기준 전압보다 낮으면 하이(High) 출력전압을 출력하고, 상기 분배된 상기 전압이 상기 기준 전압보다 높으면 로우(Low) 출력전압을 출력하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
2 2
삭제
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제1 항에 있어서, 제1 스위칭부 또는 제2 스위칭부는 바이폴라 정션 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT)를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
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제1 항에 있어서, 제1 스위칭부 또는 제2 스위칭부는 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOSFET)를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서, 상기 하이(High) 출력전압이 상기 제1 스위칭부에 공급되면, 상기 제1 스위칭부가 턴 온하고, 상기 로우(Low) 출력전압이 턴 오프하면 상기 제1 스위칭부가 턴 오프하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
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제1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드 보호부는 상기 제1 스위칭부, 상기 제2 스위칭부 또는 상기 발광다이오드에 공급되는 과전압을 방지하는 상기 과전압 보호부를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
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제7 항에 있어서, 상기 과전압 보호부는 제너 다이오드를 포함하는 발광 다이오드용 전원 공급 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.