요약 | 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화합물을 이용한 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 본 발명의 신규 화합물은 유기 발광 소자의 수명, 효율, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성을 크게 향상시킬 수 있다.[화학식 1]유기 발광 소자, 유기물층, 전자주입물질, 전자수송물질, 발광물질, 인돌 화합물, 퀴나졸린 화합물 |
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Int. CL | C09K 11/06 (2006.01) |
CPC | C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090002318 (2009.01.12) |
출원인 | 주식회사 엘지화학 |
등록번호/일자 | 10-1306531-0000 (2013.09.03) |
공개번호/일자 | 10-2010-0082986 (2010.07.21) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130909) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.04.28) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 주식회사 엘지화학 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 이대웅 | 대한민국 | 대전광역시 중구 |
2 | 배재순 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 남현 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 홍성길 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 이동훈 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 전상영 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 정순성 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 주식회사 엘지화학 | 서울특별시 영등포구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.01.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0017438-95 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.09.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0603640-60 |
3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2011.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0317038-42 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0125820-53 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.04.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0353659-98 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0353658-42 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0606009-45 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 삭제 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 하나로 표시되는 화합물:상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서, R1 및 R6은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1-50의 알킬기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1-40의 알콕시기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2-50의 알케닐기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 실란기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 비스스피로플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아세틸기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-60의 헤테로 고리기; 알킬기, 알케닐기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 아민기; 알킬기, 알케닐기 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 플루오레닐기; 비스스피로플루오레닐기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 니트릴기; 니트로기; 아미드기; 에스테르기; 실란기 및 게르마늄기로 이루어진 군에서 선택되며,R2, R4, R5 및 R7 내지 R10은 수소이고,R3은 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 실란기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 비스스피로플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-60의 헤테로 고리기; 알킬기, 알케닐기 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 플루오레닐기; 비스스피로플루오레닐기; 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이며,X, Y 및 Z는 각각 독립적으로 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 실란기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 비스스피로플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴렌기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-60의 2가 헤테로 고리기; 알킬기, 알케닐기 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 플루오레닐렌기; 비스스피로플루오레닐렌기; 및 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기로 이루어진 군에서 선택된다 |
5 |
5 하기 구조식 1 내지 구조식 72 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물 |
6 |
6 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전기 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R6은 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1-50의 알킬기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1-40의 알콕시기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2-50의 알케닐기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 실란기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 비스스피로플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아세틸기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-60의 헤테로 고리기; 알킬기, 알케닐기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 아민기; 알킬기, 알케닐기 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 플루오레닐기; 비스스피로플루오레닐기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 니트릴기; 니트로기; 아미드기; 에스테르기; 실란기 및 게르마늄기로 이루어진 군에서 선택되며,R2, R4, R5 및 R7 내지 R10은 수소이고,R3은 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 실란기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 비스스피로플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-60의 헤테로 고리기; 알킬기, 알케닐기 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 플루오레닐기; 비스스피로플루오레닐기; 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이다 |
7 |
7 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 및 전자수송층을 포함하고, 이 전자주입층 및 전자수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자 |
8 |
8 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자 |
9 |
9 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 및 정공수송층을 포함하고, 이 정공주입층 및 정공수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자 |
10 |
10 청구항 6에 있어서, 상기 유기 전기 소자는 유기발광소자, 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자 |
11 |
11 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 이 전자수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 유기 전기 소자 |
12 |
12 청구항 8에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 유기 전기 소자 |
13 |
13 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 정공수송층을 포함하고, 이 정공수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 유기 전기 소자 |
14 |
14 청구항 6에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R6은 각각 독립적으로 수소; 중수소; C1-40의 알킬기; C1-40의 알콕시기; C1-40의 알킬기 또는 C6-60의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C2-40의 알케닐기; 아세틸기; C1-40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-50의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-40의 헤테로 고리기, 니트릴기, 실란기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 비스스피로플루오레닐기 및 치환 또는 비치환된 카바졸릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴기; 이종원자로서 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-60의 헤테로 고리기, C7-50의 아릴알킬기, C8-40의 아릴알케닐기, C6-50의 아릴아민기, C6-12의 아릴기 또는 이종원자로서 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-60의 헤테로 고리기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 것을 특징으로 하는 유기 전기 소자 |
15 |
15 청구항 6에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R6은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 메틸기, 에틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 스틸벤, 나프틸기, 안트라세닐기, 페나트렌기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 플루오렌기, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 피라다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴톨린기, 아크리딜기, 메톡시, 에톡시, 카바졸릴 및 하기 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 유기 전기 소자 |
16 |
16 청구항 6에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 하나인 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자:상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서, R1 내지 R10은 각각 서로 같거나 상이하며, 청구항 6에서의 정의와 같고,X, Y 및 Z는 각각 독립적으로 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 실란기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 비스스피로플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴렌기; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 C3-60의 2가 헤테로 고리기; 알킬기, 알케닐기 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 플루오레닐렌기; 비스스피로플루오레닐렌기; 및 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기로 이루어진 군에서 선택된다 |
17 |
17 청구항 6에 있어서, 상기 화합물은 하기 구조식 1 내지 구조식 72 중 어느 하나로 표시되는 것인, 유기 전기 소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-1306531-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20090112 출원 번호 : 1020090002318 공고 연월일 : 20130909 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130830 청구범위의 항수 : 14 유별 : C09K 11/06 발명의 명칭 : 새로운 유기 발광 소자 재료 및 이를 이용한 유기 발광 소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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(권리자) 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 591,000 원 | 2013년 09월 03일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2016년 08월 17일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2017년 07월 18일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2018년 06월 19일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 632,000 원 | 2019년 06월 25일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 632,000 원 | 2020년 06월 18일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.01.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0017438-95 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.09.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0603640-60 |
3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2011.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0317038-42 |
4 | 의견제출통지서 | 2013.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0125820-53 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.04.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0353659-98 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0353658-42 |
7 | 등록결정서 | 2013.08.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0606009-45 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
기술번호 | KST2015056161 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | LG그룹 |
기술명 | 새로운 유기 발광 소자 재료 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
기술개요 |
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화합물을 이용한 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 본 발명의 신규 화합물은 유기 발광 소자의 수명, 효율, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성을 크게 향상시킬 수 있다.[화학식 1]유기 발광 소자, 유기물층, 전자주입물질, 전자수송물질, 발광물질, 인돌 화합물, 퀴나졸린 화합물 |
개발상태 | |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제정보가 없습니다 |
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