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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015056176
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것으로서, 상기 태양 전지는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 제1 진성 반도체층, 상기 제1 진성 반도체층 위에 형성되어 있는 제1 도핑층, 상기 제1 도핑층 위에 형성되어 있는 제2 진성 반도체층, 그리고 상기 제2 진성 반도체층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 진성 반도체층과 상기 제1 도핑층의 굴절율은 서로 상이하다. 이로 인해, 제1 진성 반도체층과 제1 도핑층간의 굴절율 차이로 인해, 제1 진성 반도체층을 통과한 빛은 제1 진성 반도체층으로 재입사되어 태양 전지의 동작 효율이 향상된다.태양전지, 박막, 탄뎀
Int. CL H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/076 (2012.01)
CPC H01L 31/076(2013.01)H01L 31/076(2013.01)H01L 31/076(2013.01)H01L 31/076(2013.01)
출원번호/일자 1020090001978 (2009.01.09)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1573930-0000 (2015.11.26)
공개번호/일자 10-2010-0082607 (2010.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20151202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승윤 대한민국 서울특별시 서초구
2 안세원 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0014823-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0024594-25
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0096149-06
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0881102-56
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0152261-96
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0152262-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0435964-25
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.07.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2015-0034167-52
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0557434-77
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0872411-36
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0872412-82
16 등록결정서
Decision to grant
2015.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0808902-54
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극;상기 제1 전극 위에 위치하며, 상기 제1 전극으로부터 순차적으로 형성되는 제1 p형 반도체층, 제1 진성 반도체층, 제1 n형 반도체층을 포함하는 제1 반도체 셀;상기 제1 반도체 셀 위에 위치하며, 상기 제1 반도체 셀로부터 순차적으로 형성되는 제2 p형 반도체층, 제2 진성 반도체층, 제2 n형 반도체층을 포함하는 제2 반도체 셀; 및상기 제2 반도체 셀 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 n형 반도체층과 상기 제2 p형 반도체층은 서로 직접 접촉하고,수소화된 미세 결정 실리콘 질화물(μc-SiNx:H)이 상기 제2 p형 반도체층에 포함되거나, 상기 제1 n형 반도체층 및 상기 제2 p형 반도체층에 포함되는 태양 전지
2 2
제1항에서,상기 제1 진성 반도체층의 굴절율은 상기 제1 n형 반도체층 및 상기 제2 p형 반도체층의 굴절율보다 큰 태양 전지
3 3
제2항에서,상기 제1 진성 반도체층의 굴절율과 상기 제1 n형 반도체층 및 상기 제2 p형 반도체층 중 적어도 하나의 굴절율과의 차이가 2 이상인 태양 전지
4 4
제1항에서,상기 제1 진성 반도체층의 굴절율은 상기 제1 n형 반도체층과 상기 제2 p형 반도체층 중 적어도 하나의 굴절율과 상이한 태양 전지
5 5
제4항에서,상기 제1 진성 반도체층은 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)로 이루어져 있는 태양 전지
6 6
삭제
7 7
제4항에서,상기 제2 진성 반도체층은 상기 제1 진성 반도체층과 다른 재료로 이루어져 있는 태양 전지
8 8
제7항에서,상기 제2 진성 반도체층은 수소화된 미세 결정 실리콘(μc-Si:H)으로 이루어져 있는 태양 전지
9 9
삭제
10 10
제5항에서,상기 제2 n형 반도체층과 상기 제2 전극 사이에 형성된 반사층을 더 포함하는 태양 전지
11 11
제1항에서,상기 기판은 투명한 기판인 태양 전지
12 12
삭제
13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
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19 19
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20 20
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21 21
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22 22
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23 23
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.