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실리콘 웨이퍼를 알칼리 에칭액을 사용하여 식각하는 알칼리 에칭 방법에 있어서,
킬레이트제를 첨가하여 상기 에칭액속의 금속이온의 농도를 낮추어, 상기 웨이퍼와의 반응을 억제시키되,
상기 킬레이트제는 EDTA 및 글루타믹엑시드-2-아세틱엑시드 중 적어도 어느 하나를 가지며, 상기 킬레이트제가 상기 EDTA 일 경우 상기 웨이퍼의 비저항은 5Ω-cm 이며, 상기 킬레이트제가 상기 글루타믹엑시드-2-아세틱엑시드일 경우 사이 웨이퍼의 비저항은 0
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제1항에 있어서,
상기 에칭액은 KOH 또는 NaOH 중 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 알칼리 에칭방법
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제 1항에 있어서,
상기 킬레이트제가 상기 EDTA일 경우, 0
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제1항에 있어서,
상기 킬레이트제가 상기 글루타믹엑시드-2-아세틱엑시드일 경우, 0
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주괴를 슬라이싱하여 웨이퍼를 제공하는 단계;
상기 웨이퍼를 연마하여 평탄화하는 단계;
상기 평탄화 단계의 기계적 왜곡을 제거하고자 알칼리 에칭액 및 상기 알칼리 에칭액의 금속이온의 농도를 낮추어 금속 이온으로 인한 웨이퍼 오염을 억제하는 킬레이트제를 함께 투입하여 에칭하는 단계;
상기 웨이퍼를 세정하는 단계;
를 포함하며,
상기 에칭액이 KOH일 때, 상기 킬레이트제는 EDTA이며 상기 웨이퍼의 비저항은 5Ω-cm이고,
상기 에칭액이 NaOH일 때, 상기 킬레이트제는 글루타믹엑시드-2-아세틱엑시드이며 상기 웨이퍼의 비저항은 0
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제6항에 있어서,
상기 킬레이트제가 상기 EDTA일 경우, 0
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제 6항에 있어서,
상기 킬레이트제가 상기 글루타믹엑시드-2-아세틱엑시드일 경우, 0
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