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화학적 기계적 연마용 수계 슬러리 조성물 및 화학적 기계적 연마 방법

  • 기술번호 : KST2015056318
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연마 대상막에 대한 우수한 연마율을 나타내면서도, 연마 선택비가 높고, 연마 후 연마 대상막의 표면 상태를 우수하게 유지할 수 있는 화학적 기계적 연마용 수계 슬러리 조성물 및 화학적 기계적 연마 방법에 관한 것이다. 상기 화학적 기계적 연마용 수계 슬러리 조성물은 연마입자; 산화제; 착물 형성제; 및 폴리프로필렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드-에틸렌 옥사이드 공중합체 및 화학식 1의 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 함유한 고분자 첨가제를 포함하는 것이다. 화학적 기계적 연마, 수계 슬러리 조성물, 고분자 첨가제
Int. CL C09K 3/14 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090009099 (2009.02.05)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1202720-0000 (2012.11.13)
공개번호/일자 10-2009-0093805 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20121119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080019103   |   2008.02.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.20)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신동목 대한민국 대전광역시 유성구
2 최은미 대한민국 대전광역시 서구
3 조승범 대한민국 대전광역시 유성구
4 하현철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0070822-02
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0468459-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0087047-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0100190-22
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0317213-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0399474-70
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0399475-15
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0628758-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
연마입자; 산화제; 착물 형성제; 및 고분자 첨가제를 포함하고,상기 고분자 첨가제는 프로필렌 옥사이드-에틸렌 옥사이드 공중합체 또는 하기 화학식 1의 화합물과, 폴리에틸렌 글리콜을 포함하거나,중량 평균 분자량이 5000 내지 100000이고, 에틸렌 옥사이드의 반복 단위를 60 내지 90 중량%로 포함한 프로필렌 옥사이드-에틸렌 옥사이드 공중합체를 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물: [화학식 1]상기 화학식 1에서, R1~R4는 각각 독립적으로 수소, C1~C6의 알킬기 또는 C2~C6의 알케닐기이며, R5는 C1~C30의 알킬기 또는 알케닐기이며, n은 5~500의 정수이다
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 연마입자는 실리카 입자, 알루미나 입자, 세리아 입자, 지르코니아 입자, 티타니아 입자, 제올라이트 입자, 스티렌계 중합체 입자, 아크릴계 중합체 입자, 폴리염화비닐 입자, 폴리아미드 입자, 폴리카보네이트 입자 및 폴리이미드 입자로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 연마입자는 10 내지 500nm의 평균 입경을 갖는 CMP용 수계 슬러리 조성물
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 산화제는 퍼설페이트계 산화제를 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 퍼설페이트계 산화제는 소디움 퍼설페이트, 포타슘 퍼설페이트(KPS), 칼슘 퍼설페이트, 암모늄 퍼설페이트 및 테트라알킬 암모늄 퍼설페이트로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 착물 형성제는 알라닌, 글리신, 시스틴, 히스티딘, 아스파라긴, 구아니딘, 트립토판, 히드라진, 에틸렌디아민, 디아미노시클로헥산, 디아미노프로피온산, 디아미노프로판, 디아미노프로판올, 말레산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 말론산, 프탈산, 아세트산, 락트산, 옥살산, 피리딘카르복실산, 피리딜디카르복실산, 아스코브산, 아스파르트산, 피라졸디카르복시산, 퀴날드산 및 이들의 염으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서, 부식 억제제, pH 조절제 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 부식 억제제는 벤조트리아졸, 4,4''-디피리딜에탄, 3,5-피라졸디카르복실산, 퀴날드산 및 이들의 염으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 pH 조절제는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아수, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨 및 탄산나트륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 염기성 pH 조절제; 또는 염산, 질산, 황산, 인산, 포름산 및 아세트산으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 산성 pH 조절제를 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
12 12
제 1 항에 있어서, 연마입자의 0
13 13
제 9 항에 있어서, 연마입자의 0
14 14
제 1 항에 있어서, 구리 함유막의 연마를 위해 사용되는 CMP용 수계 슬러리 조성물
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 구리 함유막은 반도체 소자의 구리 배선층을 포함하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
16 16
제 1 항에 있어서, 구리막에 대하여 4000Å/min 이상의 연마율을 나타내는 CMP용 수계 슬러리 조성물
17 17
제 1 항 또는 제 15 항에 있어서, 구리막에 대한 연마율 : 탄탈륨 막에 대한 연마율이 40 : 1 이상인 연마 선택비를 나타내는 CMP용 수계 슬러리 조성물
18 18
제 1 항 또는 제 15 항에 있어서, 구리막에 대한 연마율 : 실리콘 산화막에 대한 연마율이 100 : 1 이상인 연마 선택비를 나타내는 CMP용 수계 슬러리 조성물
19 19
제 1 항 또는 제 15 항에 있어서, CMP 연마된 구리막의 표면 거칠기(Ra)가 10nm 이하로 되게 하는 CMP용 수계 슬러리 조성물
20 20
기판 상의 연마 대상막과 연마 패드 사이에 제 1 항의 수계 슬러리 조성물을 공급하면서, 상기 연마 대상막과 연마 패드를 접촉시킨 상태로 상대적으로 이동시키면서 상기 연마 대상막을 연마하는 화학적 기계적 연마 방법
21 21
제 20 항에 있어서, 상기 연마 대상막은 구리 함유막인 화학적 기계적 연마 방법
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 구리 함유막은 상기 기판 상의 연마 정지층 및 구리 배선층을 포함하고, 상기 구리 함유막의 연마는 상기 연마 정지층의 상면이 노출될 때까지 진행되는 화학적 기계적 연마 방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 연마 정지층은 탄탈륨 또는 티타늄 함유막을 포함하는 화학적 기계적 연마 방법
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1 CN101679810 CN 중국 FAMILY
2 EP02247682 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP23515023 JP 일본 FAMILY
4 TW200948940 TW 대만 FAMILY
5 TWI484022 TW 대만 FAMILY
6 US20100184291 US 미국 FAMILY
7 WO2009107986 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 EP2247682 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2247682 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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6 JP2011515023 JP 일본 DOCDBFAMILY
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8 TWI484022 TW 대만 DOCDBFAMILY
9 US2010184291 US 미국 DOCDBFAMILY
10 WO2009107986 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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